[发明专利]半导体生产制造中lot实时追踪及分析方法及系统

权利要求书

1.一种半导体生产制造中lot实时追踪及分析方法，其特征在于，包括：

根据各部门的需求及份额，对所有lot进行优先权等级划分；

根据不同优先权等级对应的跑货速度及初始站点至目标站点的光刻层数设定各个lot的交货期；

对各个lot进行实时追踪，获取并归档各个lot的跑货信息及各项指标信息，其中，在追踪所述lot的过程中，选取DPML及TR作为分析指标，实时回顾历史跑货情况以及结合所述交货期分析需求跑货情况，所述DPML为平均完成每层光刻工艺层需要的天数，所述TR为所述lot平均每天完成的跑货步数；

根据所述历史跑货情况及所述需求跑货情况对每个lot后续跑货的计划进行定制，以保证准时交货。

2.如权利要求1所述的半导体生产制造中lot实时追踪及分析方法，其特征在于，所述跑货信息包括所述lot的当前优先权等级、今日跑货步数及当前机台能力。

3.如权利要求1所述的半导体生产制造中lot实时追踪及分析方法，其特征在于，在追踪所述lot的过程中，选取DPML及TR作为分析指标，实时回顾历史跑货情况以及结合所述交货期分析需求跑货情况的步骤具体包括：

计算各个lot从投入生产到当前时间这段时间平均每天完成的跑货步数及平均完成每层光刻工艺层需要的天数；

根据所述交货期计算各个lot从当前时间到所述交货期这段时间每天需要完成的跑货步数及完成每层光刻工艺层需要的天数。

4.如权利要求3所述的半导体生产制造中lot实时追踪及分析方法，其特征在于，各个lot从投入生产到当前时间这段时间平均每天完成的跑货步数的计算公式如下：

各个lot从当前时间至所述交货期这段时间每天需要完成的跑货步数的计算公式如下：

各个lot从投入生产到当前时间这段时间平均完成每层光刻工艺层需要的天数的计算公式如下：

各个lot从当前时间至所述交货期这段时间完成每层光刻工艺层需要的天数的计算公式如下：

式中，TR₁、DPML₁分别为各个lot从投入生产到当前时间这段时间平均每天完成的跑货步数及平均完成每层光刻工艺层需要的天数，TR₂、DPML₂分别为各个lot从当前时间至所述交货期这段时间每天需要完成的跑货步数及完成每层光刻工艺层需要的天数，S₁为各个lot从投入生产到当前时间这段时间的跑货步数的总和，S₂为各个lot从所述当前站点到所述目标站点的剩余跑货步数，T₀、T₁、T₂分别为各个lot的投入生产期、当前日期及交货期，N₁为各个lot从投入生产到当前时间这段时间完成的光刻工艺层的层数，N₂为各个lot剩余的光刻工艺层的层数。

5.如权利要求4所述的半导体生产制造中lot实时追踪及分析方法，其特征在于，在追踪所述lot的过程中，选取DPML及TR作为分析指标，实时回顾历史跑货及需求跑货情况的同时，所述半导体生产制造中lot实时追踪及分析方法还包括：

选取紧迫系数CR作为总结分析的指标，所述紧迫系数CR用于表征各个lot的紧急程度，所述紧迫系数CR越大，所述紧急程度越高，其中，所述CR的计算公式如下：

式中，所述D₁、D₂分别表示当前已完成的站点数和目标站点数，T₁、T₂分别为各个lot的当前日期及交货期。

6.如权利要求1所述的半导体生产制造中lot实时追踪及分析方法，其特征在于，每个lot到站后，所述半导体生产制造中lot实时追踪及分析方法还包括：

记录每个所述lot的优先权等级及跑货情况，分析总结并运用到后续跑货。