[发明专利]发光器件和显示面板有效

专利信息
申请号: 202110278109.1 申请日: 2021-03-15
公开(公告)号: CN113193129B 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 刘俊伟;颜志敏;苏圣勋;刘亚伟;李灏 申请(专利权)人: 昆山国显光电有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L27/32
代理公司: 广东君龙律师事务所 44470 代理人: 丁建春
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件 显示 面板
【说明书】:

本申请公开了一种发光器件和显示面板,所述发光器件包括依次层叠设置的N型基板、阴极、载流子产生层、发光层以及阳极,其中,载流子产生层用于向发光层注入电子,其包括N型有机半导体材料以及掺杂在N型有机半导体材料中的无机材料。将无机材料掺杂在N型有机半导体材料中可以提高电子在载流子产生层中的传输速率,使到达发光层的电子浓度提高,更多地与注入发光层的空穴复合发光,提高发光效率。而且,可以选择功函数合适的无机材料,降低从阴极注入电子的势垒,降低驱动电压。此外,N型基板和阴极直接导通,使得本申请可以在N型基板内使用载流子迁移速率更优的N型TFT,将其应用于OLED显示面板的像素电路中时,能够增加驱动电路设计的选择。

技术领域

本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种发光器件和显示面板。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、使用温度范围宽、以及可实现柔性显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。其中控制OLED器件的薄膜晶体管(Thin filmtransistor,TFT)通常制作于器件阳极一侧,这就要求TFT必须是P型。而N型TFT中电子的迁移率明显大于P型TFT中空穴的迁移率,若采用倒装结构的OLED器件,则能够使用载流子迁移速率更优的N型TFT。但是现有技术中倒装结构的OLED器件为正装结构中各功能层的直接倒置,其发光效率低,且驱动电压高。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种发光器件和显示面板,能够提高发光效率,降低驱动电压。

为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种发光器件,包括:依次层叠设置的N型基板、阴极、载流子产生层、发光层以及阳极;其中,所述载流子产生层用于向所述发光层注入电子,且所述载流子产生层包括N型有机半导体材料以及掺杂在所述N型有机半导体材料中的无机材料。

其中,所述无机材料在所述N型有机半导体材料中掺杂的质量分数为1%-10%。

其中,所述无机材料的功函数对应能级位于所述N型有机半导体材料的最低未占据分子轨道LOMO的能级与所述阴极包含的导电材料的功函数对应能级之间。

其中,所述无机材料包括Li、Yb、Cs、Ca、Mg、Cs2CO3、Re2CO3、CsN3、LiH、LiNH2中至少一种。

其中,所述阴极为反射电极,所述发光层的载流子复合中心到所述阴极的光学厚度为nλ/2,λ为所述发光层所产生光线的中心波长,n为正整数。

其中,所述阳极为透明电极,所述发光层的载流子复合中心到所述阳极的光学厚度为(2n-1)λ/4,λ为所述发光层所产生的光线的中心波长,n为正整数。

其中,所述发光器件还包括:空穴注入层和空穴传输层,位于所述阳极和所述发光层之间,所述空穴传输层相对所述空穴注入层更靠近所述发光层,其中,所述空穴注入层包括第一P型有机半导体材料,所述空穴传输层包括第二P型有机半导体材料,所述第一P型有机半导体材料的最高占据分子轨道HOMO的能级位于所述第二P型有机半导体材料的最高占据分子轨道HOMO的能级与所述阳极包含的导电材料的功函数对应能级之间。

其中,空穴在所述空穴注入层和所述空穴传输层的传输速率低于电子在所述载流子产生层的传输速率,且所述载流子产生层的厚度大于所述空穴注入层和所述空穴传输层的厚度之和。

其中,所述发光器件还包括:电子阻挡层和空穴阻挡层,其中,所述电子阻挡层位于所述空穴传输层和所述发光层之间,所述空穴阻挡层位于所述载流子产生层和所述发光层之间。

为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种显示面板,包括上述技术方案所述的发光器件。

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