[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202110277785.7 | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN113053980A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 李杨;黄维;赵德江;卢天豪;田禹;靳倩;孙倩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02B5/30 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
一种显示面板及其制备方法、显示装置,所述显示面板包括:阵列基板和彩膜基板,彩膜基板包括设置在基底上的彩膜层,以及,设置在彩膜层远离基底一侧的第一偏光层,所述阵列基板包括依次设置的驱动结构层、发光结构层和第二偏光层,第一偏光层包括多个第一偏光单元,第二偏光层包括多个第二偏光单元,所述第一偏光单元与所述第二偏光单元一一对应,且彼此对应的第一偏光单元和第二偏光单元的偏振方向相同,相邻的第一偏光单元的偏振方向不同,相邻的第二偏光单元的偏振方向不同,在平行于所述基底的平面上,第一偏光单元的正投影与对应的第二偏光单元的正投影存在交叠。本实施例提供的方案,减少了不同偏光单元对应的区域之间的串色干扰。
技术领域
本申请实施例涉及但不限于显示技术,尤指一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
蓝光有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)和量子点(QuantumDots,QD)彩膜相结合的QD-OLED,由于QD材料的光致发光光谱具有很窄的半峰宽,因此,OLED+QD的显示装置具有高色域、高色纯度的技术优势,而且不具有视角依赖性。但是对盒式结构存在串色问题,会导致色域的降低。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置,减少串色干扰。
一方面,本申请实施例提供了一种显示面板,包括:阵列基板和彩膜基板,所述彩膜基板包括设置在基底上的彩膜层,以及,设置在所述彩膜层远离所述基底一侧的第一偏光层,所述阵列基板包括依次设置的驱动结构层、发光结构层和第二偏光层,所述第一偏光层包括多个第一偏光单元,所述第二偏光层包括多个第二偏光单元,所述第一偏光单元与所述第二偏光单元一一对应,且彼此对应的第一偏光单元和第二偏光单元的偏振方向相同,相邻的第一偏光单元的偏振方向不同,相邻的第二偏光单元的偏振方向不同,在平行于所述基底的平面上,第一偏光单元的正投影与对应的第二偏光单元的正投影存在交叠。
在一示例性实施例中,在平行于所述基底的平面上,所述第一偏光单元的正投影与对应的第二偏光单元的正投影重合。
在一示例性实施例中,所述显示面板包括多个子像素,所述子像素与偏光单元组一一对应,所述偏光单元组包括彼此对应的第一偏光单元和第二偏光单元,在平行于所述基底的平面上,所述子像素的像素开口区域的正投影与对应的第一偏光单元正投影存在交叠,与对应的第二偏光单元正投影存在交叠。
在一示例性实施例中,在平行于所述基底的平面上,所述子像素的像素开口区域的正投影位于对应的第一偏光单元、第二偏光单元的正投影内,且位于非对应的第一偏光单元、第二偏光单元的正投影外。
在一示例性实施例中,相邻的第一偏光单元彼此连接,或者,存在部分重叠;相邻的第二偏光单元彼此连接,或者,存在部分重叠;所述显示面板包括多个子像素,在平行于所述基底的平面上,所述相邻的第一偏光单元的重叠区域的正投影位于所述子像素的像素开口区域的正投影外,所述相邻的第二偏光单元的重叠区域的正投影位于所述子像素的像素开口区域的正投影外。
在一示例性实施例中,在垂直于所述基底的方向上,所述第一偏光层的厚度为0.5微米至5微米,所述第二偏光层的厚度为0.5微米至5微米。
在一示例性实施例中,所述第一偏光层包括第一偏振方向的第一偏光单元和第二偏振方向的第一偏光单元,第一偏振方向的第一偏光单元和第二偏振方向的第一偏光单元交替设置;
所述第二偏光层包括第一偏振方向的第二偏光单元和第二偏振方向的第二偏光单元,且第一偏振方向的第二偏光单元和第二偏振方向的第二偏光单元交替设置。
在一示例性实施例中,所述发光结构层和所述第二偏光层之间设置有封装层。
在一示例性实施例中,所述彩膜层包括量子点材料层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的