[发明专利]原子堆积理论压力烧结制备SiC/石墨强化Cu-基合金复合材料的方法在审
| 申请号: | 202110277141.8 | 申请日: | 2021-03-15 |
| 公开(公告)号: | CN113051729A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
| 发明(设计)人: | 王通;董桂馥;阎小军 | 申请(专利权)人: | 大连大学 |
| 主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;C22C1/05;C22C9/00;C22C32/00;G06F113/26;G06F119/14 |
| 代理公司: | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人: | 祝诗洋 |
| 地址: | 116622 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 原子 堆积 理论 压力 烧结 制备 sic 石墨 强化 cu 合金 复合材料 方法 | ||
1.原子堆积理论压力烧结制备SiC/石墨强化Cu-基合金复合材料的方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1.根据烧结方法、基体材料及强化相选择建模模型;烧结方法采用粉末冶金法;强化相为单相时,选择简单立方模型,强化相为两相时,选择面心立方模型;
S2.根据模型及公式计算理想状态下的充填体积,得到强化相与基体材料的尺寸比例关系;
S3.根据步骤S2获得的尺寸比例关系,制备粉末冶金法胚体、烧结得到复合产品。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基体材料为Cu基材料,强化相为两相分别是SiC和石墨,选择面心立方模型。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S2:
面心立方晶格的八面体间隙半径=0.414r; (1)
面心立方晶格的四面体间隙半径=0.225r; (2)
理想状态下,微观面心立方晶格模型中四面体与八面体间隙里的充填体积分别为:
上述公式中,r表示基材颗粒的半径,把每一个粉末颗粒看作一个球体进行计算,单位是μm微米;
面心立方晶胞下,基材颗粒体积充填率为74%,根据式(3)和(4)计算可知位于四面体间隙与八面体间隙的两种强化相的体积充填量,进而获得两种强化相的充填体积比,根据强化相与基材的比例为1/10和两种强化相的充填体积比,对面心立方晶胞剩余空间进行分配,获得强化相和基材的体积充填量。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S3具体为:根据步骤S2获得的基材、强化相的粉末尺寸,充填量,采用粉末冶金法制备胚体,将基材、强化相混合后,加入少许乙醇至凝固态倒入厚20mm,高5cm的圆柱模具中;在油压机下进行预压与终压成型,压制成高1cm的圆柱体胚体;取出圆柱体胚体后放入直径20mm,深2cm的模具内,在上端盖上活塞,放入压力烧结炉内进行烧结成型,烧结温度从0-300℃后添加荷载7.5kg,升至800℃后保温1小时后可取出成品。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述步骤S2为:
以强化相G作为八面体,SiC作为四面体;
四面体间隙充填下,SiC半径/Cu颗粒半径0.225;
八面体间隙充填下,G半径/Cu颗粒半径0.414;
Cu基材颗粒尺寸为300μm,根据式(1)和(2)计算得到石墨尺寸125μm;SiC尺寸67.5μm;
微观面心立方晶格模型中四面体与八面体间隙里的充填体积分别为:
G的充填体积为
SiC的充填体积为
根据上式计算可知,四面体间隙SiC的体积充填量在2%,八面体间隙G的充填量在5.5%;SiC与G充填比例为4/11;强化相SiC与G充填总量为7.5%,强化相与基材的比例为1/10;
以总体积为100%,三种材料所需要的添加量Cu占90.82%;G占6.732%,SiC占2.448%。
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