[发明专利]一种近红外硅锗酸盐长余辉发光材料及其制备方法

权利要求书

1.一种近红外硅锗酸盐长余辉发光材料，其特征在于，该长余辉发光材料的化学式为BaSi_1.5Ge_2.5-xO₉：xCr³⁺，其中0.002≤x≤0.02。

2.一种权利要求1所述近红外硅锗酸盐长余辉发光材料的制备方法，其特征在于，该制备方法具体按以下步骤进行：

1）按照化学式BaSi_1.5Ge_2.5-xO₉：xCr³⁺中各原料的化学计量比，分别称取各原料，分别取以下原料：

BaCO_3、BaO或Ba(NO₃)₂；

H₂SiO₃或SiO₂；

GeO₂和Cr₂O₃；

2）将所取各原料混合，并加入Li₂CO₃，充分混合研磨，得到原料粉末；置于通入惰性气氛的环境中，升温至1000～1100℃，焙烧4～6小时，随炉冷却至室温，研磨，制得近红外硅锗酸盐长余辉发光材料。

3.如权利要求2所述的近红外硅锗酸盐长余辉发光材料的制备方法，其特征在于，所述步骤2）中，惰性气氛为纯氮气或纯氩气。

4.如权利权利要求2所述的近红外硅锗酸盐长余辉发光材料的制备方法，其特征在于，所述步骤2）中，以5℃/min的升温速率升温至1000～1100℃。