[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202110276524.3 | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN113410149A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 朴瑛玉;金义强;李贞根 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 朴英淑 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
显示装置包括:基板,具有显示区域以及与显示区域相邻设置的非显示区域;多个像素列,配置在基板上的显示区域;以及点亮检查电路部,配置在基板上的非显示区域,包括多个点亮检查晶体管,并且向多个像素列提供点亮检查电压。各个点亮检查晶体管包括:有源图案,配置在基板上的非显示区域,并且具有源极区域、漏极区域以及沟道区域;栅电极,配置在有源图案上的沟道区域;层间绝缘层,覆盖栅电极,并且包括使有源图案的源极区域的一部分露出并从栅电极的第一侧面间隔开7μm以上来设置的第一接触孔;以及源电极,通过第一接触孔而与有源图案的源极区域接触。
技术领域
本发明涉及显示装置。更详细而言,本发明涉及提高了显示品质的显示装置。
背景技术
显示装置可以包括像素,并且可以基于提供至像素的信号以及电压来显示图像。
另一方面,可以通过点亮检查来检测出显示装置是否受损(例如,布线、像素等是否受损等)。在该情况下,在显示装置形成有用于点亮检查中的点亮检查晶体管,但是由于在显示装置的制造工序中产生的静电,可能会在点亮检查晶体管中产生绝缘破坏现象(breakdown)。若产生绝缘破坏现象,则绝缘层会失去绝缘性并具有导电性,在点亮检查晶体管中可能会产生短路(short)现象。在驱动显示装置时,由于通过点亮检查晶体管向像素提供数据电压,因此可能会因所述短路现象而使得显示装置的显示品质下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种提高了显示品质的显示装置。
但是,本发明的目的并不限于上述的目的,在不超出本发明的思想以及领域的范围内可以以各种方式进行扩展。
为了达成本发明的目的,本发明的各实施例涉及的显示装置可以包括:基板,具有显示区域以及与所述显示区域相邻设置的非显示区域;多个像素列,配置在所述基板上的所述显示区域;以及点亮检查电路部,配置在所述基板上的所述非显示区域,包括多个点亮检查晶体管,并且向所述多个像素列提供点亮检查电压,各个所述点亮检查晶体管包括:有源图案,配置在所述基板上的所述非显示区域,并且具有源极区域、漏极区域以及沟道区域;栅电极,配置在所述有源图案上的所述沟道区域;层间绝缘层,覆盖所述栅电极,并且包括使所述有源图案的所述源极区域的一部分露出并从所述栅电极的第一侧面间隔开7μm以上来设置的第一接触孔;以及源电极,通过所述第一接触孔而与所述有源图案的所述源极区域接触。
根据一实施例,可以是,所述层间绝缘层还包括:第二接触孔,使所述有源图案的所述漏极区域的一部分露出,并且从所述栅电极的第二侧面间隔开7μm以上来设置该第二接触孔,各个所述点亮检查晶体管还包括:漏电极,通过所述第二接触孔而与所述有源图案的所述漏极区域接触。
根据一实施例,可以是,所述栅电极的所述第一侧面与所述第一接触孔被间隔开的距离和所述栅电极的所述第二侧面与所述第二接触孔被间隔开的距离相同。
根据一实施例,可以是,所述栅电极的所述第一侧面与所述第二侧面之间的长度是3μm至4μm。
根据一实施例,可以是,所述第一接触孔与所述第二接触孔之间的距离在17μm以上。
根据一实施例,可以是,各个所述点亮检查晶体管还包括:栅极绝缘层,介于所述基板与所述层间绝缘层之间,并且覆盖所述有源图案,所述第一接触孔和所述第二接触孔贯通所述栅极绝缘层来分别使所述有源图案的所述源极区域和所述漏极区域露出。
根据一实施例,可以是,所述显示装置还包括:数据驱动部,配置在所述基板上的所述非显示区域,并且生成数据电压,所述点亮检查电路部配置在所述多个像素列与所述数据驱动部之间。
根据一实施例,可以是,所述显示装置还包括:多路分配器,在所述基板上的所述非显示区域配置在所述点亮检查电路部与所述多个像素列之间,所述多路分配器从所述数据驱动部接收所述数据电压并将所述数据电压提供到所述多个像素列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造