[发明专利]一种电触头材料表面快速沉积银镀膜方法

说明书

本发明公开了一种电触头材料表面快速沉积银镀膜方法，将电触头基体放置在管状溅射源中部的溅射腔内，所述溅射腔内壁具有银靶材层，将所述溅射腔进行抽真空，然后通入工艺气体到到预设反溅清洗气压值，并进行反溅清洗；调整工艺气体到溅射镀膜气压值，通过对管状溅射源和电触头基体之间施加溅射电压，并对电触头基体和溅射源上下盖之间施加偏压，同时驱动电触头基体旋转，进行偏压溅射镀膜；通过将电触头基体放在筒状溅射源内，使得电触头基体位于在等离子体放电区内，提高沉积速率和靶材利用率，同时溅射时对电触头基体施加负偏压，有效引导等离子放电区内离子轰击电触头基体和银镀层，达到有效提高镀层致密性和镀层结合力的目的。

技术领域

本发明涉及电触头材料表面快速沉积银镀膜方法技术领域，尤其涉及一种电触头材料表面快速沉积银镀膜方法。

背景技术

电触头材料一般用于制造各类高低压开关、断路器、接触器和接插件等。纯铜或铜合金制作的电触点由于在空气中不断的通断，在电弧作用下容易形成氧化膜而降低可靠性和使用寿命。相比之下，银具有更好的电导率和接触电阻，形成的氧化银容易重新分解为金属银，因而更适合作为空气中使用的电接触材料。由于银属于贵金属，价格高，因此电触头材料往往采用在较便宜金属表面镀银来实现电触头综合性能的提升。

传统上镀银主要通过电镀方法，该方法存在三个主要问题：电镀过程的严重污染、镀层结合力不高以及镀层致密度不好等缺点。作为替代技术，真空镀膜技术目前已经应用在电触头制造领域，CN108468030A中给出了一种铜触点表面镀银的磁控溅射方法，CN107557733A则给出了一种微弧离子镀的方法在电触头表面镀银，都成功地在电触头表面制备出性能良好的银镀层。

上述真空镀膜技术可以很好的解决电镀方法带来的问题，但是电触头材料需要的银层厚度往往在十几个微米到上百个微米之间，而传统溅射镀膜存在着沉积速率低、靶材利用率低等缺点，使这类技术在电触头镀银领域的大规模应用受到了限制。

发明内容

为解决背景技术中存在的技术问题，本发明提出一种电触头材料表面快速沉积银镀膜方法。

本发明提出的一种电触头材料表面快速沉积银镀膜方法，包括下列步骤：

S1、将电触头基体放置在管状溅射源中部的溅射腔内，所述溅射腔内壁具有银靶材层；

S3、在溅射镀膜之前对电触头基体(1)进行反溅清洗；

S4、通入溅射工艺气体到预设溅射镀膜气压值，然后对管状溅射源(2)和电触头基体(1)之间施加电压，并对电触头基体(1)和管状溅射源(2)的上下盖之间施加负偏压，同时驱动电触头基体(1)旋转，进行溅射镀膜；

S5、镀膜结束后进行降温冷却，最后取出镀膜后的产品。

优选地，所述反溅清洗具体为：通过将管状溅射源内通入反溅工艺气体到预设反溅清洗气压，在电触头基体(1)和管状溅射源(2)的上下盖之间施加反溅清洗电压。

优选地，所述反溅工艺气体为Ar气，

优选地，所述反溅清洗气压为0.8～3Pa，所述反溅清洗电压为500～800V。

优选地，在S3中，所述预设溅射镀膜气压，具体为0.1～0.5Pa，所述溅射电压为350～600V，所述负偏压为-50～-120V，所述偏压溅射镀膜功率为10～18kW。

优选地，在S4中，冷却时向所述溅射源内部通入强制冷却气体，所述冷却气体为N2或Ar气。

优选地，所述冷却气体的冷却压力为0.5～0.9ATM。

优选地，还包括下列步骤：

S5、将镀膜后的产品真空退火；