[发明专利]数据加密方法、非易失性存储器装置和用户装置在审
申请号: | 202110275852.1 | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN113724765A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 曹永慜;边大锡;金起圣 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/22 | 分类号: | G11C16/22;G06F21/79;G06F12/14 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 加密 方法 非易失性存储器 装置 用户 | ||
公开了一种数据加密方法、非易失性存储器装置和用户装置。所述对非易失性存储器装置中的数据进行加密的方法包括:将数据编程到被选存储器单元中;在发展时段期间的第一时间感测被选存储器单元以提供随机数据,并在发展时段期间的第二时间感测被选存储器单元以提供主数据;使用随机数据对主数据进行加密以生成加密后的主数据;以及将加密后的主数据输出到外部电路,其中,随机数据的随机性基于被选存储器单元的阈值电压分布。
本申请要求于2020年5月25日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2020-0062047号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的内容通过引用包括在此。
技术领域
发明构思总体上涉及一种存储器装置,并且更具体地,涉及对非易失性存储器装置中的数据进行加密的方法、非易失性存储器装置以及包括非易失性存储器装置的用户装置。
背景技术
半导体存储器装置是利用半导体(诸如,但不限于硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP))制造的存储设备。半导体存储器装置可根据在被切断电源时的存储器装置的数据保持特性而被分类为易失性存储器和非易失性存储器。
当电力中断时,易失性存储器可丢失存储的数据。然而,即使在没有施加的电力的情况下,非易失性存储器也保持存储的数据。
闪存是一种非易失性存储器,并且享有包括大容量存储能力、相对高的抗噪性和低功耗的优点。
闪存可用于存储已经使用加密密钥加密后的数据。加密密钥可从用户信息、代码、随机数据或它们的一些组合生成。包括闪存的一些存储器系统还包括单独的随机数生成器,随机数生成器用于生成随后用于对主数据进行加密的随机数据。
发明内容
发明构思的实施例不同地提供了:一种在不必使用单独的随机数生成器的情况下对非易失性存储器装置中的数据进行加密的方法;能够在不使用单独的随机数生成器的情况下对数据进行加密的非易失性存储器装置;以及能够使用内部生成的随机数据来生成加密后的主数据的非易失性存储器装置,所述内部生成的随机数据具有基于非易失性存储器中的存储器单元的阈值电压分布的随机性。
在一个实施例中,提供了一种对非易失性存储器装置(NVM)中的数据进行加密的方法,其中,NVM包括分别被配置为存储至少一个数据位的多个存储器单元的存储器单元阵列。所述方法包括:将数据编程到所述多个存储器单元之中的被选存储器单元中;在发展时段期间的第一时间感测被选存储器单元以提供随机数据,并在发展时段期间的第二时间感测被选存储器单元以提供主数据;使用随机数据对主数据进行加密以生成加密后的主数据;以及将加密后的主数据输出到外部电路,其中,随机数据的随机性基于被选存储器单元的阈值电压分布。
在另一实施例中,一种非易失性存储器装置(NVM)包括:存储器单元阵列,包括多个页,并且所述多个页中的每个页包括分别被配置为存储至少一个数据位的多个存储器单元;页缓冲器电路,通过多条位线连接到存储器单元阵列,页缓冲器电路包括多个页缓冲器,所述多个页缓冲器分别被配置为在发展时段期间的第一时间和在发展时段期间的第二时间通过所述多条位线感测所述多个页之中的被选页中的多个存储器单元,以分别提供随机数据和主数据;加密电路,连接到页缓冲器电路,并且被配置为使用随机数据对主数据进行加密以生成加密后的主数据;数据输入/输出(I/O)电路,连接到加密电路,并且被配置为将加密后的主数据输出到外部电路;以及控制电路,被配置为控制页缓冲器电路、加密电路和数据I/O出电路,其中,随机数据的随机性基于被选存储器单元的阈值电压分布。
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