[发明专利]高频低损耗滤波器、谐振器及制备方法在审

专利信息
申请号: 202110275349.6 申请日: 2021-03-15
公开(公告)号: CN113098426A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 孙成亮;王雅馨;谢英;谷曦宇;曲远航;杨超翔 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/64
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 俞琳娟
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 高频 损耗 滤波器 谐振器 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高频低损耗滤波器,其特征在于,包括:

衬底;

至少两个有效谐振部,形成在所述衬底的主体区域上;和

非有效谐振部,包括:形成在所述衬底的周边区域上的多个电极板,连接所述电极板的多个连接线,以及连接在任意两个所述有效谐振部之间、所述有效谐振部与所述电极板之间、所述有效谐振部与所述连接线之间进行导电的锚结构,

其中,所述非有效谐振部中导电结构的厚度要大于所述有效谐振部中导电结构的厚度。

2.根据权利要求1所述的高频低损耗滤波器,其特征在于:

其中,所述非有效谐振部中导电结构的厚度比所述有效谐振部中导电结构的厚度大0.1~3um。

3.根据权利要求1所述的高频低损耗滤波器,其特征在于:

其中,所述导电结构包括所述电极板、所述连接线和所述锚结构中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的高频低损耗滤波器,其特征在于:

其中,所述非有效谐振部中的导电结构包括所述电极板、所述连接线和所述锚结构。

5.根据权利要求1所述的高频低损耗滤波器,其特征在于:

其中,所述有效谐振部包括底电极、压电层和顶电极。

6.一种高频低损耗谐振器,其特征在于,包括:

衬底;

有效谐振部,形成在所述衬底的主体区域上;和

非有效谐振部,包括:形成在所述衬底的周边区域上的多个电极板,连接所述电极板的多个连接线,以及连接在所述有效谐振部与所述电极板之间、所述有效谐振部与所述连接线之间进行导电的锚结构,

其中,所述非有效谐振部中导电结构的厚度要大于所述有效谐振部中导电结构的厚度。

7.根据权利要求1所述的高频低损耗谐振器,其特征在于:

其中,所述非有效谐振部中导电结构的厚度比所述有效谐振部中导电结构的厚度大0.1~3um。

8.根据权利要求1所述的高频低损耗谐振器,其特征在于:

其中,所述非有效谐振部中导电结构包括所述电极板、所述连接线和所述锚结构。

9.根据权利要求1所述的高频低损耗滤波器,其特征在于:

其中,所述有效谐振部包括底电极、压电层和顶电极。

10.权利要求1至5中任意一项所述的高频低损耗滤波器或者权利要求5至8中任意一项所述的高频低损耗谐振器的制备方法,其特征在于:

将有效谐振部中导电结构减薄,使有效谐振部中导电结构的厚度小于非有效谐振部中导电结构的厚度;或者将非有效谐振部中导电结构增厚,使非有效谐振部中导电结构的厚度大于有效谐振部中导电结构的厚度。

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