[发明专利]一种宽输入宽输出耗尽管基准电压源有效
| 申请号： | 202110275334.X | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113031691B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 黄九洲;夏炎 | 申请（专利权）人： | 江苏硅国微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 输入 输出 尽管 基准 电压 | ||
1.一种宽输入宽输出耗尽管基准电压源，其特征在于，包括：
基准电压产生支路，用于产生第一基准电压；以及
输出支路，用于输出第二基准电压；
控制支路，用于接收由基准电压产生支路产生的第一基准电压，并控制输出支路输出第二基准电压；
所述基准电压产生支路具有第一耗尽型NMOS管(DN1)、第二耗尽型NMOS管(DN2)以及第一增强型NMOS管(N1)，所述控制支路具有第二增强型NMOS管(N2)、第一分压电阻(R1)、第二分压电阻(R2)、第三耗尽型NMOS管(DN3)以及第一PMOS管(P1)，所述输出支路具有第二PMOS管(P2)以及第一电容(C1)；
所述第二耗尽型NMOS管(DN2)的漏极接电源，其栅源短接之后连接到第一耗尽型NMOS管(DN1)的漏极，所述第一耗尽型NMOS管(DN1)的栅源短接之后连接到第一增强型NMOS管(N1)的漏极，所述第一增强型NMOS管(N1)的源极接地；所述第一增强型NMOS管(N1)的漏极连接到第二增强型NMOS管(N2)的栅极，所述第二增强型NMOS管(N2)的源极接地，其漏极连接到第三耗尽型NMOS管(DN3)的源极，所述第三耗尽型NMOS管(DN3)的栅极连接第二耗尽型NMOS管(DN2)的栅极，其漏极连接到第一PMOS管(P1)的漏极，所述第一PMOS管(P1)的源极接电源，其栅漏短接之后连接到第二PMOS管(P2)的栅极，所述第二PMOS管(P2)的源极接电源，其漏极连接第二分压电阻(R2)的一端，所述第二分压电阻(R2)的另一端连接第一分压电阻(R1)的一端，所述第一分压电阻(R1)的另一端接地，所述第一增强型NMOS管(N1)的栅极连接到第一分压电阻(R1)与第二分压电阻(R2)的公共端，所述第二PMOS管(P2)的漏极输出第二基准电压；
所述第二耗尽型NMOS管(DN2)与第三耗尽型NMOS管(DN3)为高压耗尽管，所述第一耗尽型NMOS管(DN1)为低压耗尽管，所述第一增强型NMOS管(N1)与第二增强型NMOS管(N2)为低压增强型NMOS管，所述第一PMOS管(P1)为低压PMOS管，所述第二PMOS管(P2)为高压PMOS管。
2.根据权利要求1所述的宽输入宽输出耗尽管基准电压源，其特征在于：还包括补偿支路，所述补偿支路一端连接到第一增强型NMOS管(N1)的漏极，另一端连接到第一增强型NMOS管(N1)的源极。
3.根据权利要求2所述的宽输入宽输出耗尽管基准电压源，其特征在于：所述补偿支路包括第零电阻(R0)和第零电容(C0)，所述第零电阻(R0)一端接第一增强型NMOS管(N1)的漏极，另一端接第零电容(C0)的正极板，所述第零电容(C0)的负极板接第一增强型NMOS管(N1)的源极。
4.根据权利要求1所述的宽输入宽输出耗尽管基准电压源，其特征在于：所述第一基准电压经所述第一分压电阻(R1)、第二分压电阻(R2)控制第一增强型NMOS管(N1)的栅极以产生第二基准电压，所述第二基准电压对地接第一电容(C1)。
5.根据权利要求1所述的宽输入宽输出耗尽管基准电压源，其特征在于：所述第二PMOS管(P2)的漏极与第二分压电阻(R2)之间设有若干个相互串联的调压电阻，每个所述调压电阻通过熔丝短接。
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