[发明专利]半导体元件

说明书

本发明公开一种半导体元件，其包含第一栅极线与第二栅极线仅沿着第一方向延伸、第三栅极线与第四栅极线沿着第一方向延伸并设于第一栅极线与第二栅极线之间，第五栅极线与第六栅极线沿着第二方向延伸，以及多个第一接触插塞设于第一栅极线上。其中第五栅极线以及第六栅极线设于第一栅极线以及第二栅极线之间并交错第三栅极线及第四栅极线，第一方向垂直于第二方向且第一栅极线与第二栅极线接触第五栅极线与第六栅极线。

本发明是中国发明专利申请(申请号：201810035168.4，申请日：2018年01月15日，发明名称：半导体元件)的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件，尤其是涉及一种应用于低噪声放大器(Low NoiseAmplifier,LNA)的晶体管结构。

背景技术

随着科技的发展，无线通讯已成为人们生活中相当重要的一环，各种不同电子装置如智能型手机、智能型穿戴装置、平板计算机中通过无线射频系统来传送或接收无线信号。在无线射频系统中，低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)与功率放大器(PowerAmplifier,PA)为必要的放大电路。为了使放大电路具有最佳的效能(如线性度)，放大电路需要施加以一适当偏压，常见的作法为将放大电路电连接于一偏压模块，利用偏压模块来提供放大电路一适当偏压。

然而在现有技术中，例如低噪声放大器中的晶体管设计在部分参数上包括高栅极阻值、高栅极对基体掺杂区电容值(gate to body capacitance)以及最低噪声指数(minnoise figure)的表现仍不尽理想。由于这些参数在低噪声放大器效能表面上具有举足轻重的影响，因此如何改良现有晶体管架构进而改善这些参数表现即为现今一重要课题。

发明内容

本发明一实施例揭露一种半导体元件，其主要包含第一栅极线与第二栅极线仅沿着第一方向延伸、第三栅极线与第四栅极线沿着第一方向延伸并设于第一栅极线与第二栅极线之间，第五栅极线与第六栅极线沿着第二方向延伸，以及多个第一接触插塞设于第一栅极线上。其中第五栅极线以及第六栅极线设于第一栅极线以及第二栅极线之间并交错第三栅极线及第四栅极线，第一方向垂直于第二方向且第一栅极线与第二栅极线接触第五栅极线与第六栅极线。

附图说明

图1为本发明一实施例的应用于低噪声放大器的一半导体元件的上视图；

图2为本发明一实施例的应用于低噪声放大器的一半导体元件的上视图。

主要元件符号说明

12      基底                     14     第一栅极线

16      第二栅极线               18     第三栅极线

20      第四栅极线               22     第五栅极线

24      第六栅极线               26     源极区域

28      第一漏极区域             30     第二漏极区域

32      掺杂区                   34     掺杂区

36      掺杂区                   38     掺杂区

40      掺杂区                   42     掺杂区

44      掺杂区                   46     掺杂区

48      掺杂区                   50     接触插塞