[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一内连接结构，设置在一第一半导体晶粒上，其中该第一半导体晶粒包括一半导体基底以及一第一导电垫，该第一导电垫设置在该半导体基底上，且该第一导电垫被该内连接结构所覆盖；

多个介电间隙子，围绕该内连接结构设置，其中所述多个介电间隙子与该内连接结构之间的一界面呈弯曲状；

一介电层，围绕所述多个介电间隙子设置；以及

一第二半导体晶粒，接合到该介电层与该内连接结构，其中该第二半导体晶粒包括一第二导电垫，且该内连接结构被该第二导电垫所覆盖。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述多个介电间隙子与该介电层由不疼材料所制。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该内连接结构的一上宽度大于该内连接结构的一下宽度。

4.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一介电结构，是穿经该介电层，其中该介电结构的一材料相同于所述多个介电间隙子的一材料。

5.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一介电衬垫层，设置在该第一半导体晶粒与该介电层之间，其中该介电衬垫层被所述多个介电间隙子部分地覆盖。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该内连接结构直接接触该介电衬垫层与该第一导电垫。

7.如权利要求5所述的半导体元件，其中所述多个介电间隙子与该介电衬垫层由不同材料所制。

8.一种半导体元件，包括：

一第一介电层，设置在一第一半导体基底上；

一第一导电垫，嵌设该第一介电层中；

一介电衬垫层，设置在该第一介电层上；

一第二介电层，设置在该介电衬垫层上；

一内连接结构，穿经该第二介电层与该介电衬垫层；

一介电间隙子，设置在该内连接结构与该第二介电层之间；以及

一第二半导体基底，设置在该第二介电层上，其中在该第二半导体基底中的一第二导电垫经由该内连接结构而电性连接到该第一导电垫。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该内连接结构具有多个弯曲侧壁，且该内连接结构的一上宽度大于该内连接结构的一下宽度。

10.如权利要求8所述的半导体元件，其中该介电衬垫层与该第二介电层由不同材料所制。

11.如权利要求8所述的半导体元件，还包括一介电结构，设置在该第二介电层中，并与该介电间隙子分开设置，其中该介电结构与该介电间隙子设置在该介电衬垫层上。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该介电结构的一材料相同于该介电间隙子的一材料，且该介电结构的一宽度大于该介电间隙子的一下宽度。

13.如权利要求8所述的半导体元件，其中该内连接结构还包括一导电结构以及一导电衬垫，该导电衬垫围绕该导电结构设置，其中该导电结构通过该导电衬垫而与该第一导电垫及该介电间隙子分开设置。

14.一种半导体元件的制备方法，包括：

形成一光刻胶图案结构在一第一半导体晶粒上，其中该第一半导体晶粒包括一第一介电层以及一第一导电垫，该第一导电垫嵌设在该第一介电层中，且该第一导电垫被该光刻胶图案结构所覆盖；

形成一第二介电层以围绕该光刻胶图案结构；

移除该光刻胶图案结构以形成一第一开孔在该第二介电层中；

形成多个介电间隙子以沿着该第一开孔的各侧壁；

形成一内连接结构以被所述多个介电间隙子所围绕；以及

接合一第二半导体晶粒到该第二介电层，其中该第二半导体晶粒包括一第二导电垫，以面对该内连接结构设置，而该第二导电垫经由该内连接结构而电性连接到该第一半导体晶粒的该第一导电垫。