[发明专利]光掩模以及显示装置的制造方法在审
| 申请号: | 202110274446.3 | 申请日: | 2021-03-15 |
| 公开(公告)号: | CN113406857A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
| 发明(设计)人: | 小林周平 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
| 主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 朱丽娟;崔成哲 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光掩模 以及 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种光掩模,所述光掩模是显示装置制造用的光掩模,所述光掩模用于在被转印体上使用中紫外曝光用光形成尺寸为Dp的孔图案,其中,Dp≤3μm,
在透明基板上具有包含孔图案的转印用图案,
所述转印用图案中的孔图案由被半调区域包围的透光部构成,
对于用于对所述光掩模进行曝光的中紫外曝光用光中包含的基准波长的光,所述透光部与所述半调区域的相位差θ大致为180度,并且
所述半调区域对于所述基准波长的光的透射率T为10%≤T≤35%。
2.根据权利要求1所述的光掩模,其中,
所述转印用图案中的孔图案由透光部构成,所述透光部是通过对形成于所述透明基板上的相移膜进行图案化而形成的,在所述透光部中所述透明基板露出,
在所述半调区域中,在所述透明基板上形成有所述相移膜,
所述相移膜对于所述基准波长的光具有大致180度的相移量,并且具有透射率T,10%≤T≤35%。
3.一种光掩模,所述光掩模是显示装置制造用的光掩模,所述光掩模用于在被转印体上使用中紫外曝光用光形成尺寸为Dp的孔图案,其中,Dp≤3μm,
在透明基板上具有包含孔图案的转印用图案,
所述转印用图案中的孔图案由被半调区域包围的透光部构成,
在设基准波长为λ1、λ1<365nm时,对于所述λ1的波长的光,所述透光部与所述半调区域的相位差θ为180度,并且所述半调区域对于所述λ1的波长的光的透射率T为10%≤T≤35%。
4.根据权利要求3所述的光掩模,其中,
所述转印用图案中的孔图案由透光部构成,所述透光部是通过对形成于所述透明基板上的相移膜进行图案化而形成的,在所述透光部中所述透明基板露出,
在所述半调区域中,在所述透明基板上形成有所述相移膜,
所述相移膜对于所述λ1的波长的光具有180度的相移量,并且具有透射率T,10%≤T≤35%。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的光掩模,其中,
所述转印用图案包含孤立孔图案。
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的光掩模,其中,
所述转印用图案具有接近孔图案,所述接近孔图案包含距离接近的2个以上的孔图案。
7.根据权利要求6所述的光掩模,其中,
所述接近孔图案所包含的2个所述孔图案的重心间距离为9μm以下。
8.根据权利要求1至4中的任一项所述的光掩模,其中,
在设所述转印用图案中的孔图案的尺寸为Dm时,Dm>Dp。
9.根据权利要求1至4中的任一项所述的光掩模,其中,
所述基准波长为313nm或334nm。
10.根据权利要求8所述的光掩模,其中,
Dm/Dp为1.1~1.8。
11.一种显示装置的制造方法,具有如下工序:
准备权利要求1~10中的任一项所述的光掩模的工序;以及
使用中紫外曝光用光对所述光掩模进行曝光的曝光工序,
所述中紫外曝光用光包含波长λ满足200nm≤λ≤400nm的波长区域,且不包含λ>400nm及λ<200nm的波长。
12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法,其中,
通过所述曝光工序,在被转印体上形成尺寸Dp≤3μm的孔图案。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HOYA株式会社,未经HOYA株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110274446.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可移动地支撑的锻炼器材
- 下一篇:车辆用灯单元和车辆用灯具系统
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





