[发明专利]交错存取操作以促进两个磁盘表面的同时存取的数据存储装置有效
申请号: | 202110273672.X | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN113539302B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | R·P·赖安;S·卡纳 | 申请(专利权)人: | 西部数据技术公司 |
主分类号: | G11B5/55 | 分类号: | G11B5/55 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐东升 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 交错 存取 操作 促进 两个 磁盘 表面 同时 数据 存储 装置 | ||
1.一种数据存储装置,其包括:
第一磁盘表面;
第一磁头,所述第一磁头在所述第一磁盘表面上致动;
第二磁盘表面;
第二磁头,所述第二磁头在所述第二磁盘表面上致动;
第一精细致动器和第二精细致动器,所述第一精细致动器被配置成致动所述第一磁盘表面上的所述第一磁头,所述第二精细致动器被配置成致动所述第二磁盘表面上的所述第二磁头;以及
控制电路系统,所述控制电路系统被配置成通过至少以下操作执行所述第一和第二磁盘表面的同时存取:
在第一单存取间隔期间存取所述第一磁盘表面,而不存取所述第二磁盘表面;以及
在所述第一单存取间隔之后,在双存取间隔期间同时存取所述第一和第二磁盘表面,其中所述第一单存取间隔基于所述第一精细致动器的第一增益和所述第二精细致动器的第二增益。
2.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中在所述双存取间隔之后,所述控制电路系统进一步被配置成通过在第二单存取间隔期间存取所述第二磁盘表面而不存取所述第一磁盘表面来执行所述第一和第二磁盘表面的所述同时存取。
3.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中所述第一单存取间隔对应于所述第一和第二磁头的径向偏移。
4.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中所述控制电路系统进一步被配置成通过以下操作执行所述第一和第二磁盘表面的所述同时存取:
缓冲从主机接收的第一写入数据,其中将所述第一写入数据映射到所述第一磁盘表面;
缓冲从所述主机接收的第二写入数据,其中将所述第二写入数据映射到所述第二磁盘表面;
在所述第一单存取间隔期间将所述第一写入数据的至少部分写入到所述第一磁盘表面;以及
在所述双存取间隔期间将所述第一写入数据的至少部分写入到所述第一磁盘表面并且同时将所述第二写入数据的至少部分写入到所述第二磁盘表面。
5.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中所述控制电路系统进一步被配置成通过以下操作执行所述第一和第二磁盘表面的所述同时存取:
在所述第一单存取间隔期间从所述第一磁盘表面读取第一读取数据;
在所述双存取间隔期间从所述第一磁盘表面读取第二读取数据并且同时从所述第二磁盘表面读取第三读取数据;以及
相对于将所述数据写入到所述第一和第二磁盘表面的次序有序地将所述第一、第二和第三读取数据传输到主机。
6.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中所述控制电路系统进一步被配置成通过以下操作执行所述第一和第二磁盘表面的所述同时存取:
在所述第一单存取间隔期间从所述第一磁盘表面读取第一读取数据;
在所述双存取间隔期间从所述第一磁盘表面读取第二读取数据并且同时从所述第二磁盘表面读取第三读取数据;以及
相对于将所述数据写入到所述第一和第二磁盘表面的次序无序地将所述第一、第二和第三读取数据传输到主机。
7.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中所述控制电路系统进一步被配置成:
从外径朝向所述第一磁盘表面的中径写入所述第一磁盘表面的连续数据磁道;
从外径朝向所述第二磁盘表面的中径写入所述第二磁盘表面的连续数据磁道;以及
当在所述存取期间,所述第一磁头的第一读取元件先于所述第二磁头的第二读取元件时,在所述第一单存取间隔期间存取所述第一磁盘表面,而不存取所述第二磁盘表面。
8.根据权利要求7所述的数据存储装置,其中所述控制电路系统进一步被配置成:
从内径朝向所述第一磁盘表面的所述中径写入所述第一磁盘表面的连续数据磁道;
从内径朝向所述第二磁盘表面的所述中径写入所述第二磁盘表面的连续数据磁道;以及
当在存取期间,所述第二磁头的所述第二读取元件先于所述第一磁头的所述第一读取元件时,在第三单存取间隔期间存取所述第二磁盘表面,而不存取所述第一磁盘表面。
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