[发明专利]一种MEMS芯片及其制作方法、MEMS麦克风

权利要求书

1.一种MEMS芯片，其特征在于：包括：

衬底，所述衬底设有沿上下向贯穿的背腔；

振膜，所述振膜与所述衬底连接，至少部分所述振膜可动地设于所述背腔上方，所述振膜上设有一个或多个凹凸状的振纹，所述振纹位于所述振膜可动部分的外侧；

背极，所述背极相对设置在所述振膜远离所述衬底的一侧；

牺牲层，所述牺牲层设于所述振膜和所述背极之间；

振动间隙，所述振动间隙位于所述振膜与所述背极之间，与所述振膜、所述背极共同形成电容器结构；

所述背极中设有一个或多个间隔排列的通孔，所述通孔沿上下向贯穿所述背极，并与所述振动间隙连通；

电极，形成于所述背极的上表面，多个所述电极分别与所述振膜和所述背极电连接；

所述振膜和所述背极的部分表面设有XeF₂阻隔层，所述XeF₂阻隔层为可以防止XeF₂气体腐蚀的材料构成，所述XeF₂阻隔层的材料为氧化硅、氮化硅中的一种；

所述背极朝向振膜的表面设有多个凸起，所述凸起由所述XeF₂阻隔层构成；

所述振纹相对振膜偏置设置，所述凸起相对背极偏置设置，所述凸起与振纹位置相对设置。

2.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述牺牲层的材料为多晶硅，所述振膜和所述背极之间的牺牲层以通过XeF₂干法化学腐蚀的方法进行释放以形成振动间隙。

3.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述电极形成于所述背极上表面的XeF₂阻隔层上。

4.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述振膜与振纹为一体成型结构。

5.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述振膜与衬底之间设有绝缘层，所述XeF₂阻隔层和绝缘层分别敷设于所述振膜和振纹的上表面和下表面，所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅中的一种。

6.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述背极为一层或相互贴合的多层结构。

7.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述振膜的材料为多晶硅、金属中的一种；所述背极的材料为多晶硅、金属、氮化硅、氧化硅中的一种或多种组合。

8.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述电极的材料为Cr/Au、Ti-W/Au或Ti/Pt/Au中的一种。

9.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述衬底为双抛的半导体衬底，所述衬底为硅衬底、锗衬底、SOI衬底、GeOI衬底、碳化硅衬底中的一种。

10.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述通孔的形状为圆形、多边形、十字花孔中的一种或多种组合。

11.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述振动间隙及所述背腔的截面形状为矩形、梯形、倒梯形的一种。