[发明专利]光电探测基板及其制备方法、光电探测装置

权利要求书

1.一种光电探测基板，其特征在于，包括玻璃基底以及设置在所述玻璃基底上的电子装置和光学装置，所述光学装置为肖特基光电二极管。

2.根据权利要求1所述的光电探测基板，其特征在于，所述肖特基光电二极管包括：第一电极，设置在所述第一电极远离玻璃基底一侧的欧姆接触层，设置在所述欧姆接触层远离玻璃基底一侧的本征层，以及设置在所述本征层远离玻璃基底一侧的第二电极；或者，所述肖特基光电二极管包括：第一电极，设置在所述第一电极远离玻璃基底一侧的本征层，设置在所述本征层远离玻璃基底一侧的欧姆接触层，以及设置在所述欧姆接触层远离玻璃基底一侧的第二电极。

3.根据权利要求1所述的光电探测基板，其特征在于，所述肖特基光电二极管包括：第一电极，设置在所述第一电极远离玻璃基底一侧的欧姆接触层，设置在所述欧姆接触层远离玻璃基底一侧的本征层，设置在所述本征层远离玻璃基底一侧的阻挡层，以及设置在所述阻挡层远离玻璃基底一侧的第二电极；或者，所述肖特基光电二极管包括：第一电极，设置在所述第一电极远离玻璃基底一侧的阻挡层，设置在所述阻挡层远离玻璃基底一侧的本征层，设置在所述本征层远离玻璃基底一侧的欧姆接触层，以及设置在所述欧姆接触层远离玻璃基底一侧的第二电极。

4.根据权利要求1所述的光电探测基板，其特征在于，所述肖特基光电二极管包括：第一电极，设置在所述第一电极远离玻璃基底一侧的第一阻挡层，设置在所述第一阻挡层远离玻璃基底一侧的本征层，设置在所述本征层远离玻璃基底一侧的第二阻挡层，以及设置在所述第二阻挡层远离玻璃基底一侧的第二电极。

5.根据权利要求2至4任一项所述的光电探测基板，其特征在于，所述第一电极的材料包括钼、铝、铜、铅或金，所述第二电极的材料包括氧化铟锡或氧化铟锌，所述欧姆接触层的材料包括N型掺杂非晶硅、N型掺杂微晶硅或N型掺杂硅锗合金，所述本征层的材料包括非晶硅、微晶硅或硅锗合金。

6.根据权利要求2至4任一项所述的光电探测基板，其特征在于，所述阻挡层的材料包括硅氧化物、硅氮化物、氮氧化硅或氧化铝。

7.根据权利要求2至4任一项所述的光电探测基板，其特征在于，所述阻挡层的厚度为1nm至5nm。

8.根据权利要求1至4任一项所述的光电探测基板，其特征在于，所述电子装置包括氧化物薄膜晶体管。

9.一种光电探测装置，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的光电探测基板。

10.一种光电探测基板的制备方法，其特征在于，包括：

在玻璃基底上形成电子装置和光学装置；所述光学装置为肖特基光电二极管。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在玻璃基底上形成肖特基光电二极管，包括：

形成第一电极；依次形成欧姆接触层、本征层和第二电极；所述欧姆接触层设置在所述第一电极远离玻璃基底的一侧，所述本征层设置在所述欧姆接触层远离玻璃基底的一侧，所述第二电极设置在所述本征层远离玻璃基底的一侧；或者，

形成第一电极；依次形成本征层、欧姆接触层和第二电极；所述本征层设置在所述第一电极远离玻璃基底的一侧，所述欧姆接触层设置在所述本征层远离玻璃基底的一侧，所述第二电极设置在所述欧姆接触层远离玻璃基底一侧的。