[发明专利]一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110272273.1 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113192820B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 郑畅达;张建立;高江东;王小兰;王旋;李丹;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 氮化 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
A、硅衬底高温烘烤：将硅衬底放入MOCVD反应室内，升温至1000—1350℃，在H2气氛下对硅衬底进行烘烤，清除表面污染；
B、硅衬底表面预处理：调整温度至1000—1300℃，向反应室通入NH3和TMIn，对硅衬底表面进行预处理；
C、铺铝：停止通入NH3和TMIn，通入TMAl，在进行过预处理的硅衬底表面均匀覆盖Al金属层；
D、生长AlN层：通入NH3和TMAl，生长AlN外延层。
2.根据权利要求1所述的硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤B硅衬底表面预处理的过程为：先通入TMIn、后通入NH3，或者NH3与TMIn同时通入，或者先通入NH3后通TMIn。
3.根据权利要求1所述的硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤B硅衬底表面预处理的过程，NH3和TMIn的摩尔流量比为10:1—10000:1。
4.根据权利要求1所述的硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于：步骤C铺铝的温度为900℃—1300℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
