[发明专利]采用真空蒸发镀膜可控制备非晶柔性Bi-Te-Se膜的方法

权利要求书

1.一种采用真空蒸发镀膜可控制备非晶柔性Bi-Te-Se膜的方法，其特征在于包括有下列制备步骤：

(1)将质量百分比纯度为99.99％的Bi₂Te_2.7Se_0.3粉末在3MPa～5MPa压力下压制材料成块体；所述Bi₂Te_2.7Se_0.3粉末的平均粒径小于50μm；

(2)柔性基底在无水乙醇和去离子水中分别超声清洗5min～10min后取出，并用高纯度99.999％氮气吹干；

(3)将0.1g～0.2g的Bi₂Te_2.7Se_0.3材料压制成的块体放入真空镀膜机的真空室的钨舟中，把基底放置于样品台上，调节基底与钨舟的距离d＝8cm～11cm；

(4)向真空室内充入2min～8min氮气后停止，随后对真空室抽真空，使真空室内真空度达到2.0×10^－4Pa～5.0×10^－4Pa；

(5)在PID控制器上设定沉积速率40nm/min～75nm/min，沉积时间40min～60min；

(6)开启交流电源，调节输出电流170A～185A；打开样品台自转25r/min～30r/min；开始在基底上沉积制备非晶柔性Bi₂Te_2.7Se_0.3膜；

(7)制备完毕，关闭交流电源，在真空镀膜机真空室内真空保护2h～3h后，取出，制得在柔性基底上沉积具有非晶生长的柔性Bi₂Te_2.7Se_0.3膜。

2.根据权利要求1所述的采用真空蒸发镀膜可控制备非晶柔性Bi-Te-Se膜的方法，其特征在于包括有下列制备步骤：

(1)将质量百分比纯度为99.99％的Bi₂Te_2.7Se_0.3粉末在3MPa压力下压制材料成块体；所述Bi₂Te_2.7Se_0.3粉末的平均粒径小于50μm；

(2)柔性基底在无水乙醇和去离子水中分别超声清洗6min后取出，并用高纯度99.999％氮气吹干；

(3)将0.15g的Bi₂Te_2.7Se_0.3材料压制成的块体放入真空镀膜机的真空室的钨舟中，把基底放置于样品台上，调节基底与钨舟的距离d＝8cm；

(4)向真空室内充入3min氮气后停止，随后对真空室抽真空，使真空室内真空度达到2.0×10^－4Pa；

(5)在PID控制器上设定沉积速率50nm/min，沉积时间60min；

(6)开启交流电源，调节输出电流175A；打开样品台自转，30r/min；开始在基底上沉积制备非晶柔性Bi₂Te_2.7Se_0.3膜；

(7)制备完毕，关闭交流电源，在真空镀膜机真空室内真空保护3h后，取出，制得在柔性基底上沉积具有非晶生长的柔性Bi₂Te_2.7Se_0.3膜。