[发明专利]一种高侧功率管的ESD保护结构在审
| 申请号： | 202110271092.7 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113035937A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张波;袁柳;乔明;齐钊 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率管 esd 保护 结构 | ||
1.一种高侧功率管的ESD保护结构，其特征在于：包括P型衬底(9)、P型衬底(9)上方的N型埋层(8)，两处P型深阱(1)和两处N型深阱(2)交替位于P型衬底(9)和N型埋层(8)上方，从左至右依次为左侧的P型深阱(1)、左侧的N型深阱(2)、右侧的P型深阱(1)、右侧的N型深阱(2)；
左侧的P型阱区(3)位于左侧的P型深阱(1)内表面，左侧的N型阱区(4)位于左侧的N型深阱(2)内表面，右侧的P型阱区(3)位于右侧的P型深阱(1)内表面，右侧的N型阱区(4)位于右侧的N型深阱(2)内表面；左侧及右侧的P型阱区(3)内都设有位于P型阱区(3)表面的P型接触区(5)和N型接触区(6)，且P型接触区(5)右侧与N型接触区(6)相切；在左侧的N型阱区(4)中，P型接触区(5)和N型接触区(6)位于N型阱区(4)表面且P型接触区(5)的左侧与N型接触区(6)相切；在右侧N型阱区(4)内部表面仅有N型接触区(6)；N型漂移区(7)位于右侧的P型深阱(1)内部表面以及该P型深阱(1)内P型阱区(3)的右侧，栅氧化层(10)位于右侧的P型深阱(1)上方，并部分位于N型漂移区(7)上方；一处第一氧化层(11)位于N型漂移区(7)上方，且位于栅氧化层(10)右侧，多晶硅栅(12)位于栅氧化层(10)和第一氧化层(11)的上方；另一处第一氧化层(11)位于左侧的P型深阱(1)和左侧的N型深阱(2)交界处上方，还有一处第一氧化层(11)位于左侧的N型深阱(2)和右侧的P型深阱(1)交界处上方。
2.根据权利要求1所述的一种高侧功率管的ESD保护结构，其特征在于：去掉左侧的P型阱区内(3)内的N型接触区(6)，并且在左侧的N型阱区(4)内N型接触区(6)的左侧增加与其相切的P型接触区(5)。
3.根据权利要求1所述的一种高侧功率管的ESD保护结构，其特征在于：去掉左侧的P型阱区(3)内的N型接触区(6)，此时器件仅有高侧管的自保护结构。
4.根据权利要求1所述的一种高侧功率管的ESD保护结构，其特征在于：去掉左侧的N型阱区(4)内的P型接触区(5)，此时器件仅有隔离环对地的ESD保护结构。
5.根据权利要求4所述的一种高侧功率管的ESD保护结构，其特征在于：去掉右侧的P型深阱(1)中各结构，仅保留隔离结构，此时器件仅有隔离环对地的ESD保护结构，但是P型深阱(1)中仍然制作电路。
6.根据权利要求1所述的一种高侧功率管的ESD保护结构，其特征在于：去掉左侧的P型阱区(3)内的N型接触区(6)，并将位于左侧的N型阱区(4)内N型接触区(6)右侧的P型接触区(5)更换到N型接触区(6)的左侧，此时器件仅有隔离环对地的ESD保护结构。
7.根据权利要求6所述的一种高侧功率管的ESD保护结构，其特征在于：去掉右侧的P型深阱(1)中各结构，仅保留隔离结构，此时器件仅有隔离环对地的ESD保护结构，但是P型深阱(1)中仍然制作电路。
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