[发明专利]一种具有高含量氧空位缺陷的黑色二氧化钛B纳米片制备方法有效
申请号: | 202110271040.X | 申请日: | 2021-03-10 |
公开(公告)号: | CN113336265B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 郭林;康建新;张彦 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | C01G23/053 | 分类号: | C01G23/053;B82Y30/00;B82Y40/00 |
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地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 含量 空位 缺陷 黑色 氧化 纳米 制备 方法 | ||
1.一种具有高含量氧空位缺陷的黑色二氧化钛B纳米片制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)取TiCl4溶解到浓度为28-32%的盐酸溶液中,形成TiCl4含量为14-16%的TiCl4的盐酸溶液,然后,将2 mL该TiCl4的盐酸溶液滴入置有20 mL乙二醇的烧杯中,室温搅拌至混合物变淡黄色,继续搅拌直至溶液变为浅棕色;
(2)将得到的浅棕色溶液转移到50 mL反应釜中,置于150-180℃ 恒温箱保温静置4-6小时,得到白色二氧化钛B纳米片沉淀;
(3)将白色沉淀离心,洗涤,干燥,研磨后置于瓷方舟中,放入管式炉,在惰性气体气氛下于250-350℃ 进行退火得到黑色二氧化钛B纳米片,记为b-TiO2-B;
(4)分别在无光和模拟太阳光照下,利用黑色二氧化钛B对罗丹明B(RhB)水溶液进行降解实验。
2.根据权利要求1所述的一种具有高含量氧空位缺陷的黑色二氧化钛B纳米片制备方法,其特征在于,所述的惰性气体为氮气或氩气,退火时间为2小时。
3.根据权利要求1所述的一种具有高含量氧空位缺陷的黑色二氧化钛B纳米片制备方法,其特征在于,得到的白色二氧化钛B粉末形貌为纳米片聚集体,粒径在150-200 nm,外延薄片厚度为2-3 nm。
4.根据权利要求1所述的一种具有高含量氧空位缺陷的黑色二氧化钛B纳米片制备方法,其特征在于,黑色二氧化钛B形貌为纳米片聚集体,粒径为150-200 nm,外延薄片厚度为1-2 nm。
5.根据权利要求1所述的一种具有高含量氧空位缺陷的黑色二氧化钛B纳米片制备方法,其特征在于,模拟太阳光能为1.5 G,罗丹明B水溶液的浓度为30-40 mg/L,黑色二氧化钛B纳米片的浓度为1-1.5 mg每1-1.5 mL 罗丹明B水溶液。
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