[发明专利]一种字线的填充空隙率的确定方法

说明书

本发明实施例公开了一种字线填充空隙率的确定方法，包括：提供待确定结构，所述待确定结构包括字线，所述字线包括字线壳体和位于所述字线壳体内的空隙；分别确定所述空隙的高度值h和所述字线的高度值H；基于所述空隙的高度值h和所述字线的高度值H，确定所述字线的填充空隙率k。

技术领域

本发明涉及半导体加工工艺领域，尤其涉及一种字线填充空隙率的确定方法。

背景技术

存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。随着各类电子设备对集成度和数据存储密度的需求的不断提高，普通的二维存储器件越来越难以满足要求，在这种情况下，三维(3D)存储器应运而生。

三维存储器的电压信号通常通过字线传输并施加到存储单元上，在制备工艺中，字线由沉积法在相邻两层层间介质层之间填充金属材料获得。填充过程中，当气源进口由于金属沉积层逐渐生长而对接封闭后，气源将无法继续进入，沉积将会停止并在字线内部形成空隙。该空隙直接影响字线的电阻，同时由于沉积气源通常含氟，残余在空隙中的氟容易穿过字线金属进入存储单元中的介电材料从而造成器件失效。因此测量和监控字线的填充空隙率成为重要的研究方向。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例为解决背景技术中存在的至少一个问题而提供一种字线填充空隙率的测量方法。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供了一种字线填充空隙率的确定方法，包括：

提供待确定结构，所述待确定结构包括字线，所述字线包括字线壳体和位于所述字线壳体内的空隙；

分别确定所述空隙的高度值h和所述字线的高度值H；

基于所述空隙的高度值h和所述字线的高度值H，确定所述字线的填充空隙率k。

上述方案中，所述基于所述空隙的高度值h和所述字线的高度值H，确定所述字线的填充空隙率k，包括：

通过以下公式计算得到所述字线的填充空隙率k：

上述方案中，所述确定所述字线的高度值H，包括：

制备第一样品，所述第一样品包括至少一层所述字线的垂直截面，所述字线的垂直截面包括所述空隙的垂直截面和围绕所述空隙的垂直截面的所述字线壳体的垂直截面；

测量所述第一样品中的所述字线的垂直截面的高度，将测量得到的所述字线的垂直截面的高度值作为所述字线的高度值H。

上述方案中，所述确定所述空隙的高度值h，包括：

测量所述第一样品中的所述空隙的垂直截面的高度，将测量得到的所述空隙的垂直截面的高度值作为所述空隙的高度值h。

上述方案中，所述测量所述第一样品中的所述字线的垂直截面的高度，包括：

测量至少两层所述字线的垂直截面的高度，将测量得到的至少两层所述字线的垂直截面的高度的平均值作为所述字线的高度值H。

上述方案中，所述测量所述第一样品中的所述空隙的垂直截面的高度，包括：

测量至少两层所述空隙的垂直截面的高度，将测量得到的至少两层所述空隙的垂直截面的高度的平均值作为所述空隙的高度值h。

上述方案中，所述确定所述空隙的高度值h，包括：

制备第二样品，所述第二样品包括至少一层字线，基于所述第二样品测量所述字线壳体的厚度，得到所述字线壳体的厚度值w，将所述字线的高度值H与两倍的所述字线壳体的厚度值w之差，确定为所述空隙的高度值h。