[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具有：

第1导电型的碳化硅层，其具有存在晶体缺陷的缺陷区域；

第2导电型的多个阱区域，它们形成于所述碳化硅层；

第1导电型的源极区域，其形成于所述阱区域；

栅极氧化膜，其形成于所述碳化硅层、所述阱区域以及所述源极区域之上；

栅极电极，其形成于所述栅极氧化膜之上；以及

源极电极，其与所述阱区域以及所述源极区域连接，

在所述缺陷区域未形成所述源极区域。

2.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

对第1导电型的碳化硅层的晶体缺陷进行检查，确定存在所述晶体缺陷的缺陷区域的位置；

在所述碳化硅层形成第2导电型的多个阱区域；

在所述阱区域形成第1导电型的源极区域；

在所述碳化硅层、所述阱区域以及所述源极区域之上形成栅极氧化膜；

在所述栅极氧化膜之上形成栅极电极；以及

形成与所述阱区域以及所述源极区域连接的源极电极，

在所述缺陷区域未形成所述源极区域。

3.根据权利要求2所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在所述碳化硅层之上涂敷负抗蚀层；

对位于预定形成所述源极区域的区域以外的所述负抗蚀层进行曝光；

对位于所述缺陷区域的所述负抗蚀层局部地进行激光曝光；

对曝光以及激光曝光后的所述负抗蚀层进行显影；以及

将显影后的所述负抗蚀层作为掩模，向所述阱区域注入杂质而形成所述源极区域。

4.根据权利要求2所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在所述碳化硅层之上涂敷第1正抗蚀层；

在所述缺陷区域，在所述第1正抗蚀层之上形成第2正抗蚀层；

对位于预定形成所述源极区域的区域处的所述第1以及第2正抗蚀层进行曝光以及显影；以及

将显影后的所述第1以及第2正抗蚀层作为掩模，向所述阱区域注入杂质而形成所述源极区域，

显影后的所述第1正抗蚀层残留于所述缺陷区域。

5.根据权利要求2所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在所述碳化硅层之上涂敷抗蚀层；以及

将曝光以及显影后的所述抗蚀层作为掩模，向所述阱区域注入杂质而形成所述源极区域，

以显影后的所述抗蚀层残留于所述缺陷区域的方式，通过无掩模曝光机而对所述抗蚀层进行曝光。

6.根据权利要求2所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在所述缺陷区域之上形成绝缘膜；

在所述碳化硅层之上，形成预定形成所述源极区域的区域被开设了开口的抗蚀图案；以及

将所述抗蚀图案和所述绝缘膜作为掩模，向所述阱区域注入杂质而形成所述源极区域。

7.根据权利要求2所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

分别在所述多个阱区域形成所述源极区域；以及

通过向所述缺陷区域注入第2导电型的杂质，从而消除存在于所述缺陷区域的所述源极区域。