[发明专利]一种晶体处理装置及方法

权利要求书

1.一种晶体处理装置，其特征在于，包括：

机架，所述机架上安装有基座，所述基座上设置有用于夹持晶体的夹持机构，所述夹持机构包括第一开口；

碰撞组件，所述碰撞组件设置在所述夹持机构的外侧，所述碰撞组件包括第一碰撞件和第一动力机构，所述第一动力机构用于驱动所述第一碰撞件运动，并经过所述第一开口以撞击所述晶体，直至所述晶体开裂；

所述晶体处理装置还包括加热组件，所述加热组件包括设置在所述基座上的加热丝，所述加热丝、所述第一开口及所述第一碰撞件的中心线位于同一条直线上。

2.根据权利要求1所述的晶体处理装置，其特征在于，所述第一碰撞件包括第一连接件和第一碰撞尖端，所述第一碰撞尖端通过所述第一连接件与所述第一动力机构相连，所述第一碰撞尖端包括相连的第一斜面和第二斜面，所述第一斜面与所述第二斜面之间的夹角为75°～110°。

3.根据权利要求2所述的晶体处理装置，其特征在于，所述碰撞组件还包括第二碰撞件和第二动力机构，所述第一碰撞件与所述第二碰撞件分别设置在所述夹持机构的相对两侧，并位于同一条直线上；

所述夹持机构还包括第二开口，所述第二开口与所述第一开口分别开设于所述夹持机构的相对位置，所述第二动力机构用于驱动所述第二碰撞件运动，并经过所述第二开口碰撞所述晶体；和/或

所述第二碰撞件还包括与所述第二碰撞件相连的锁紧装置，用于锁紧所述第二碰撞件。

4.根据权利要求1所述的晶体处理装置，其特征在于，所述基座与所述夹持机构形成用于放置所述晶体的容纳腔，所述容纳腔底壁的中心线处开设有凹槽，所述凹槽贯穿于所述容纳腔的底壁，所述加热丝放置在所述凹槽内；和/或

所述容纳腔的底壁包括依次连接的第一部分、凹槽和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别铺设有隔热材料。

5.根据权利要求1至3任一项所述的晶体处理装置，其特征在于，所述夹持机构包括第一夹持件和第二夹持件，所述第一夹持件和所述第二夹持件分别安装在所述基座上，所述基座、所述第一夹持件和所述第二夹持件形成用于放置所述晶体的容纳腔，所述第一夹持件和所述第二夹持件之间的缺口分别形成所述第一开口和第二开口；

所述第一夹持件和所述第二夹持件中至少一个能够调节相对于另一的相对位置。

6.根据权利要求3所述的晶体处理装置，其特征在于，所述第一碰撞件还包括第一滑动轨道，所述第一滑动轨道设置在所述基座上，所述第一连接件的两侧滑动连接在所述第一滑动轨道内，所述第一动力机构驱动所述第一连接件沿所述第一滑动轨道滑动，以带动所述第一碰撞尖端运动；和/或

所述第二碰撞件还包括第二连接件、第二碰撞尖端及第二滑动轨道，所述第二滑动轨道设置在所述基座上，所述第二碰撞尖端通过所述第二连接件与所述第二动力机构相连，所述第二连接件的两侧滑动连接在所述第二滑动轨道内，所述第二动力机构驱动所述第二连接件沿所述第二滑动轨道滑动，以带动所述第二碰撞件运动。

7.一种利用权利要求1所述的装置进行晶体处理的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

(1)将晶体放置于基座上，并使用夹持机构固定，通过加热组件加热晶体的中心线；

(2)控制第一动力机构驱动所述第一碰撞件运动，第一碰撞件穿过夹持机构的第一开口撞击所述晶体，使得所述晶体开裂。

8.据权利要求7所述的晶体处理方法，其特征在于，步骤(2)中，所述第一碰撞件撞击晶体时，所述第一碰撞件与所述晶体接触时的压强与所述晶体的应力成反比；或所述第一碰撞件的撞击力不小于50N；和/或

所述第一碰撞件撞击晶体时，相邻两次撞击的间隔时间为3～5s。

9.根据权利要求7所述的晶体处理方法，其特征在于，所述加热组件的加热速率为0.8～3℃/秒；

当10℃≤T≤50℃时，加热后所述晶体的中心线温度与所述晶体的初始温度之差为30～300℃，其中，T为所述晶体的初始温度；或当T＞50℃时，加热后所述晶体的中心线温度与所述晶体的初始温度之差为30～300℃+T₁℃，其中T₁≥1.5T-75℃，T为所述晶体的初始温度。