[发明专利]异质结太阳能电池及硅器件化学镀镍方法

说明书

本发明属于化学镀镍技术领域，具体涉及一种异质结太阳能电池及硅器件化学镀镍方法。本发明异质结太阳能电池及硅器件化学镀镍方法的步骤如下：S1将待镀件浸泡于活化液中，活化，得活化后待镀件；S2将步骤S1所得活化后待镀件取出，用蒸馏水冲洗，将活化后待镀件浸入还原剂中进行还原处理，水洗，烘干，得烘干后待镀件；S3将步骤S2所得烘干后待镀件浸泡于镀镍液中，在30℃～40℃的温度下处理5min～8min，得镀镍后镀件；S4将步骤S3所得镀镍后镀件用蒸馏水清洗吹干。本发明方法不仅能够提供良好的活化效果，还能够增强获得的镀镍层与基材之间的结合力，化学镀镀层厚度均匀，镀层致密性好，镀层较厚，镀层质量佳。

技术领域

本发明属于化学镀镍技术领域，具体涉及一种异质结太阳能电池及硅器件化学镀镍方法。

背景技术

太阳能电池也可以称之为光伏电池，其是一种利用光伏效应将太阳光辐射直接转换为电能的新型发电技术，因其具有资源充足、清洁、安全、寿命长等优点，被认为是最有前途的可再生的能源技术之一。晶体硅太阳能电池包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池和高效晶体硅太阳能电池等。单晶硅太阳能电池的转换效率很高，技术较为成熟，但是由于其需要以高纯的单晶硅棒为原料，使得电池的制造成本较大，难以大规模推广应用。多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，其在制造成本上，比单晶硅太阳能电池低。然而，多晶硅太阳能电池的光电转换效率相比单晶硅太阳能电池则较低，以及多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。

异质结太阳能电池是其中一种新型高效的电池技术，其综合了单晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池的优势，有结构简单、制备工艺温度低、转换效率更高、高温特性好等特点，因此具有很大的市场潜力。异质结太阳能电池的主要结构为：在硅衬底受光面上先后沉积薄膜本征非晶硅层及非晶硅发射极层，形成带有薄膜本征非晶硅夹层的异质结；在两面掺杂的非晶硅薄层上用溅射法沉积透明导电氧化物层，最后在透明导电氧化物层形成栅状金属电极。形成栅状金属电极作为制作异质结太阳能电池关键的步骤，其常规方法是：制作金属栅线的第一个铜叠层，作为金属栅线主体导电层，再制作第二个镍叠层作为金属栅线的助焊层。然而，目前现有的异质结太阳能电池及硅器件化学镀镍方法存在在待镀件的活化阶段使用的活化剂容易出现活化效果不明显的问题，镀镍后的镀层与基材之间的结合力差，而且化学镀镀层厚度不均匀，镀层较薄，镀层质量不理想等问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种异质结太阳能电池及硅器件化学镀镍方法。采用本发明的方法不仅能够提供良好的活化效果，还能够增强获得的镀镍层与基材之间的结合力，且化学镀镀层厚度均匀，镀层致密性好，镀层较厚，镀层质量佳。

本发明的技术方案是：

异质结太阳能电池及硅器件化学镀镍方法，步骤如下：

S1将待镀件浸泡于活化液中，活化，活化温度为28℃～35℃，活化时间为7min～12min，得活化后待镀件；

S2将步骤S1所得活化后待镀件取出，用蒸馏水冲洗，将活化后待镀件浸入还原剂中进行还原处理，水洗，烘干，得烘干后待镀件；

S3将步骤S2所得烘干后待镀件浸泡于镀镍液中，在30℃～40℃的温度下处理5min～8min，得镀镍后镀件；

S4将步骤S3所得镀镍后镀件用蒸馏水清洗吹干。

进一步地，所述活化液中含有的组分及其含量为：氯化钯的含量为0.03～0.18g/L，氯化亚锡的含量为0.05～0.4g/L，浓度为37％的盐酸的含量为7～12mL/L，硼酸的含量为1～3g/L，润湿剂的含量为0.1～1g/L。

进一步地，所述活化液中含有的组分及其含量为：氯化钯的含量为0.12g/L，氯化亚锡的含量为0.26g/L，浓度为37％的盐酸的含量为9mL/L，硼酸的含量为2g/L，润湿剂的含量为0.4g/L。