[发明专利]用于半导体制造的温控系统及温控方法有效
申请号: | 202110269177.1 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN112687595B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 冯涛;宋朝阳;张悦超;胡文达;靳李富;曹小康;芮守祯;董春辉;何茂栋 | 申请(专利权)人: | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G05D23/20 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 谭云 |
地址: | 100176 北京市大兴区北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 制造 温控 系统 方法 | ||
1.一种用于半导体制造的温控方法,其特征在于:用于半导体制造的温控系统包括制冷装置和循环装置,所述循环装置包括第一水箱和第二水箱,所述制冷装置包括制冷组件和蒸发器,所述制冷组件与所述蒸发器的吸热通路形成制冷回路,所述第一水箱的进液口与所述第二水箱的进液口均与被控设备的出口连通,所述第一水箱的出液口与所述第二水箱的进液口连通,所述第二水箱的出液口、所述蒸发器的放热通路和所述被控设备依次连通形成循环液回路;所述第一水箱的进液口与所述被控设备的出口连通的管路上设有第一阀体,所述第二水箱的进液口与所述被控设备出口连通的管路上设有第二阀体;
包括:
获得被控设备的出口处循环液温度与第一预设温度的温度差值;
判断温度差值是否大于第二预设温度,或是否小于第三预设温度,
若是,判断第二水箱内的循环液液面高度是否达到报警位置,若是则停止向第一水箱输送循环液,开始向第二水箱输送循环液,若否则开始向第一水箱输送循环液,停止向第二水箱输送循环液;
若否,停止向第一水箱输送循环液,开始向第二水箱输送循环液。
2.根据权利要求1所述的用于半导体制造的温控方法,其特征在于:所述第一水箱的出液口与所述第二水箱的进液口连通的管路上设有第三阀体。
3.根据权利要求1所述的用于半导体制造的温控方法,其特征在于:所述第二水箱内设有用于检测所述第二水箱内液面高度的液位开关。
4.根据权利要求1所述的用于半导体制造的温控方法,其特征在于:所述循环装置还包括泵体,所述泵体设置于所述蒸发器的放热通路与所述被控设备连通的管路上。
5.根据权利要求4所述的用于半导体制造的温控方法,其特征在于:所述循环装置还包括加热器,所述加热器设置于所述蒸发器的放热通路与所述泵体连通的管路上。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的用于半导体制造的温控方法,其特征在于:所述被控设备的出口设有主管路和与所述主管路连通的两条支管路,所述主管路上设有第一温度传感器,两条所述支管路上分别与所述第一水箱的进液口和所述第二水箱的进液口连通。
7.根据权利要求6所述的用于半导体制造的温控方法,其特征在于:所述蒸发器的放热通路的出口设有第二温度传感器。
8.根据权利要求4所述的用于半导体制造的温控方法,其特征在于:所述泵体的出口设有第三温度传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造