[发明专利]芯片上方叠层封装的去除方法

权利要求书

1.一种芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供底板，将样品粘附于所述底板；

研磨所述样品远离所述底板的一侧，当待分析的芯片的轮廓露出时，停止研磨；

清洗所述样品，并烘干所述样品，从而去除所述芯片上方的叠层封装以供分析。

2.如权利要求1所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，研磨所述样品时，还包括：

用粗砂纸研磨所述样品，当研磨至靠近所述芯片的位置时，在所述样品的表面涂抹融化的热熔胶，以防止过度研磨，并更换细砂纸对所述样品继续研磨。

3.如权利要求2所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，所述粗砂纸为P320砂纸，所述细砂纸为P2500砂纸。

4.如权利要求2所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，冲洗所述样品前，还包括：

在所述样品的表面滴腐蚀液并加热，进而用丙酮冲洗所述样品，以除去所述样品上残余的热熔胶。

5.如权利要求4所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，所述腐蚀液为混酸。

6.如权利要求4所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，滴腐蚀液后加热所述样品至150℃，并加热10s。

7.如权利要求1所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，清洗所述样品时，还包括：

将所述样品放入盛有无水乙二胺的烧杯中，并将装有所述样品的烧杯放入超声清洗器中清洗；

将样品取出并放入盛有清水的烧杯中，并将装有所述样品的烧杯放入所述超声清洗器中清洗；

取出所述样品，用丙酮冲洗所述样品。

8.如权利要求7所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，利用所述超声清洗器清洗的时间为2～5s。

9.如权利要求1所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，粘贴所述样品时，还包括：

在所述底板的顶面涂抹胶水，将所述样品置于胶水上，并按压所述样品以排出所述样品底部的气泡，进而加热所述样品，以使得所述样品粘附于所述底板。

10.如权利要求1所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，烘干所述样品的温度为100℃。