[发明专利]双极晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种双极晶体管，其特征在于，包括衬底层、第一外延层、第二外延层、第三外延层与第四外延层；

所述第一外延层层叠设置于所述衬底层上，所述第二外延层层叠设置于所述第一外延层上，所述第三外延层与所述第二外延层接触连接，所述第四外延层部分嵌入所述第二外延层中、部分嵌入所述第一外延层中，所述第三外延层与所述第四外延层间隔设置；

其中，所述第一外延层与所述第三外延层的掺杂类型为第一掺杂类型，且所述第三外延层中的掺杂浓度高于所述第一外延层；所述第二外延层与所述第四外延层的掺杂类型为与所述第一掺杂类型不相同的第二掺杂类型，且所述第四外延层中的掺杂浓度高于所述第二外延层；所述第四外延层嵌入所述第一外延层中的深度≥1μm。

2.根据权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述第二外延层的厚度为1μm～2μm；和/或

所述第四外延层嵌入所述第一外延层与所述第二外延层的总深度为4μm～8μm。

3.根据权利要求1～2任一项所述的双极晶体管，其特征在于，所述第三外延层设置于所述第二外延层中，且从所述第二外延层的上表面露出；和/或

嵌入所述第二外延层中的部分第四外延层贯穿所述第二外延层。

4.根据权利要求1～2任一项所述的双极晶体管，其特征在于，还包括发射极、基极与集电极，所述发射极与所述第三外延层电接触，所述基极与所述第四外延层电接触，所述集电极与所述衬底层电接触。

5.根据权利要求4所述的双极晶体管，其特征在于，还包括层叠设置于所述第二外延层上的图案化的介质层，所述介质层中设置有暴露出所述第三外延层的第三过孔与暴露出所述第四外延层的第四过孔，所述发射极设置于所述第三过孔中且与所述第三外延层相接触，所述基极设置于所述第四过孔中且与所述第四外延层相接触，所述集电极层叠设置于所述衬底层远离所述第一外延层的一侧表面上。

6.根据权利要求1～2任一项所述的双极晶体管，其特征在于，所述第四外延层有多个，相邻的所述第四外延层之间的间距为6μm～10μm。

7.根据权利要求1～2任一项所述的双极晶体管，其特征在于，所述第一外延层中的掺杂浓度为1×10¹¹个/cm²～1×10¹²个/cm²；和/或

所述第二外延层中的掺杂浓度为1×10¹³个/cm²～1×10¹⁴个/cm²；和/或

所述第四外延层中的掺杂浓度为1×10¹⁴个/cm²～1×10¹⁵个/cm²。

8.一种双极晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基材上制备第三外延层和第四外延层，所述基材包括衬底层、第一外延层和第二外延层，所述第一外延层层叠设置于所述衬底层上，所述第二外延层层叠设置于所述第一外延层上，所述第三外延层与所述第二外延层接触连接，所述第四外延层部分嵌入所述第二外延层中、部分嵌入所述第一外延层中，所述第三外延层与所述第四外延层间隔设置；

其中，所述第一外延层与所述第三外延层的掺杂类型为第一掺杂类型，且所述第三外延层中的掺杂浓度高于所述第一外延层；所述第二外延层与所述第四外延层的掺杂类型为与所述第一掺杂类型不相同的第二掺杂类型，且所述第四外延层中的掺杂浓度高于所述第二外延层；

在制备所述第四外延层的过程中包括：刻蚀所述第二外延层和所述第一外延层的部分区域，形成贯穿所述第二外延层并抵达所述第一外延层内部的沟槽，在所述沟槽中填充所述第四外延层的材料，位于所述第一外延层中的部分沟槽的深度≥1μm。