[发明专利]像素驱动电路及显示面板

说明书

本申请公开了一种像素驱动电路及显示面板，像素驱动电路包括写入晶体管和驱动晶体管；写入晶体管具有第一栅极、第二栅极，第一栅极与第二栅极连接；驱动晶体管具有第三栅极、第四栅极，写入晶体管的源极/漏极中的另一个与第三栅极和第四栅极连接。通过采用双栅极的写入晶体管、驱动晶体管，且对应的双栅极互相连接，可以显著降低写入晶体管、驱动晶体管的驱动电压，进而能够以较低的功耗和发热量提高像素的发光亮度。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种像素驱动电路及显示面板。

背景技术

基于薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)背板技术的LED显示在近几年获得了广泛的关注。与电压驱动型的TFT-LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示)不同，TFT-LED显示需要电流驱动发光。这就需要像素驱动电路具有较强的电流驱动能力。因此，基于非晶硅(a-Si)的背板技术，由于沟道材料的载流子迁移率低，电流驱动能力较弱，需要较大尺寸的TFT来提供足够的电流，不利于分辨率的提高，这就使得其不适用于AMOLED(ActiveMatrix OrganicLight-Emitting Diode，主动矩阵有机发光二极体面板)等像素密度高的显示。低温多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly-Silicon)的迁移率显著高于IGZO(indiumgallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)与a-Si，但是其制程复杂，而且均匀性差，基板尺寸较小，不适用于大尺寸的显示产品。IGZO的迁移率介于A-Si与LTPS之间，而且制程相对简单，当前的IGZO世代线也较高，因此，比较适合于制作大尺寸的LED显示驱动背板。

在像素驱动电路中，为了获得较大的驱动电流，IGZO型TFT的驱动电压一般较高，栅极的开态电压一般在20V以上，关态电压一般在-10V左右。因此，基于IGZO背板技术的LED像素驱动电路工作时，驱动信号的电压切换范围较大。这一方面会导致动态功耗大、发热严重以及讯号的上升下降时间较长；另一方面会加重TFT器件的电压应力水平，导致器件老化加快；此外还会提高背板上讯号线路的跨线处被电击穿的风险性。

例如图1所示的像素驱动电路，其包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、存储电容Cst以及发光器件LED。第一晶体管T1的源极/漏极中的一个用于接入数据信号Data，第一晶体管T1的的栅极用于接入扫描信号Scan，第一晶体管T1的源极/漏极中的另一个与存储电容Cst的第一端和第二晶体管T2的栅极连接，存储电容Cst的第二端与发光器件LED的阳极和第二晶体管T2的源极/漏极中的一个连接，发光器件LED的阴极与恒压低电位信号VSS连接，第二晶体管T2的源极/漏极中的另一个与恒压高电位信号VDD连接。

其工作原理为：一行子像素的扫描信号Scan位于高电位时，第一晶体管T1晶体管打开，数据信号Data给第二晶体管T2的栅极(图1中节点G)充电到高电位；然后扫描信号Scan变为低电位，第一晶体管T1关断，G点的电位维持所充入的电位，并控制第二晶体管T2打开，此时，有电流流过发光器件LED，发光器件LED开始发光。为了提高发光亮度，需要增大第二晶体管T2的尺寸，但这会增大单个子像素的所占空间，不利于分辨率的提高；也可以提高第二晶体管的驱动电压，但会导致前述诸多问题的产生。

发明内容

基于此，本申请提供一种像素驱动电路及显示面板，解决了像素的发光亮度的提高需要较大的驱动电压，导致的高功耗、高发热问题。

第一方面，本申请提供一种像素驱动电路，其包括写入晶体管和驱动晶体管；写入晶体管具有第一栅极、第二栅极，第一栅极与第二栅极连接；驱动晶体管具有第三栅极、第四栅极，写入晶体管的源极/漏极中的一个与第三栅极和第四栅极连接。

基于第一方面，在第一方面的第一种实施方式中，像素驱动电路还包括存储单元；存储单元的一端与第三栅极连接，存储单元的另一端与驱动晶体管的源极/漏极中的一个连接。