[发明专利]半导体器件解理装置及解理方法

说明书

本发明提供一种半导体器件解理装置及解理方法，涉及半导体器件的技术领域，该半导体器件解理装置包括解理装置主体，所述解理装置主体具有用于半导体器件解理的解理区域；喷雾装置，用于使保护液形成雾状并向解理区域喷洒，以使解理后的巴条的腔面被保护液覆盖并形成保护膜；高压电场装置，用于使喷雾装置喷洒的保护液电离并形成带电喷雾。本发明提供的半导体器件解理装置能够在常压下使用，不需要超真空；当半导体器件在大气环境解理的时候，通过喷雾装置向解理区域喷洒保护液，使保护液一方面可以消除腔面活跃的不饱和的悬挂键（不饱和的悬挂键易与离子结合），另一方面，雾化的保护液可以在腔面表面形成保护膜，保护腔面不被氧化或者污染等。

技术领域

本发明涉及半导体器件的技术领域，尤其是涉及一种半导体器件解理装置及解理方法。

背景技术

半导体芯片在解理后形成巴条，巴条具有新鲜解理的腔面，但新鲜解理的腔面较为活跃，极其容易吸附空气中的水，氧等其他杂质。

为了避免腔面暴露在空气中容易吸附氧气氧化或者吸附气体和颗粒脏污等，当前采用的方法有在超高真空环境下进行腔面解理，然后钝化一层保护膜进行腔面保护，但这种方法对环境条件要求苛刻，需要超高真空的环境，成本较高并且不容易大批量操作。

发明内容

本发明的目的在于提供半导体器件解理装置及解理方法，以缓解现有的半导体器件解理方法不易操作，成本高的技术问题。

本发明提供的一种半导体器件解理装置，包括：

解理装置主体，所述解理装置主体具有用于半导体器件解理的解理区域；

喷雾装置，用于使保护液形成雾状并向解理区域喷洒，以使解理后的巴条的腔面被保护液覆盖并形成保护膜；

高压电场装置，用于使喷雾装置喷洒的保护液电离并形成带电喷雾。

进一步地，所述高压电场装置的工作电压大于4KV。

进一步地，还包括液体回收系统，所述液体回收系统包括回收槽、冷却装置和液体回收管路；

所述冷却装置设置在所述回收槽的下端，所述喷雾装置向所述半导体器件喷洒的保护液流入到所述回收槽中，所述液体回收管路用于回收所述回收槽中的溶液。

进一步地，所述解理装置主体具有腔室，所述解理区域位于所述腔室内。

进一步地，还包括液体供给装置，所述液体供给装置与所述喷雾装置连接，用于向所述喷雾装置内提供保护液。

进一步地，所述液体供给装置包括储存槽和与所述储存槽连接的液体供给管路，所述液体供给管路与所述喷雾装置连接。

进一步地，还包括气体供给装置，所述气体供给装置与所述喷雾装置连接，用于向所述喷雾装置内提供惰性气体。

进一步地，所述气体供给装置包括气体供给管路和管道加热装置，所述气体供给管路与所述喷雾装置连接；

所述管道加热装置设置在所述气体供给管路上，用于将惰性气体加热到100-200℃。

进一步地，所述喷雾装置还包括气液混合装置，所述气液混合装置分别与所述气体供给装置和所述液体供给装置连接并用于将惰性气体和保护液混合后向所述解理区域喷洒。

进一步地，所述气液混合装置上设置有用于调节气体供给装置向气液混合装置供气的进气量的气体调节阀和用于调节液体供给装置向气液混合装供液的进液量的液体调节阀。