[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202110266670.8 | 申请日: | 2021-03-11 |
公开(公告)号: | CN113054125A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 张月 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L23/552;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。所述显示面板包括层叠设置于基板上的薄膜晶体管层、阳极层、有机功能层以及阴极层;其中,所述有机功能层包括一电子传输层,所述电子传输层的材料包括金属和金属氧化物的组合,所述电子传输层能吸收射入所述有机功能层中的紫外线。本申请通过在现有显示面板中的电子传输层材料中引入金属和金属氧化物的组合材料,制备对紫外线有吸收作用的电子传输层,从而防止紫外光对所述显示面板其他膜层造成老化等损伤;同时,引入金属和金属氧化物的组合材料还可以增加电子传输层材料中的电子数量,从而提高显示面板中的电子注入效率及显示面板的发光效率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)是一种利用有机半导体材料在电流驱动下产生可逆变色来实现多彩显示的光电技术。OLED显示面板由于具有轻薄、高亮度、低功耗、宽视角、高响应速度以及宽使用温度范围等优点而越来越多地被应用于各种高性能显示领域中。
然而,在薄膜封装(Thin-Film Encapsulation,TFE)工艺后的OLED显示面板在进行光照信赖性测试时,OLED显示面板会出现像素点显示不良的现象,例如,在进行太阳光紫外线照射时,透明衬底易吸收紫外光使透明基底发黄,衬底的光透过率下降,从而导致OLED显示面板的色坐标(CIEx、CIEy)发生变化;此外玻璃与柔性衬底处的聚合物经紫外光烧结后产生微小碳球或聚合物碎片,也会影响透明衬底表面的洁净度。
发明内容
本申请提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置,用以能够有效防止紫外光对显示面板器件造成损伤。
为了实现上述效果,本申请提供的技术方案如下:
一种显示面板,包括:
基板;
薄膜晶体管层,设置于所述基板上;
阳极层,设置于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧;
有机功能层,设置于所述阳极层远离所述薄膜晶体管层的一侧;
阴极层,设置于所述有机功能层远离所述阳极层的一侧;
其中,所述有机功能层包括一电子传输层,所述电子传输层的材料包括金属和金属氧化物的组合,所述电子传输层能吸收射入所述有机功能层中的紫外线。
在本申请的显示面板中,所述有机功能层包括依次层叠设置于所述阳极层上的空穴注入层、空穴传输层、发光层以及空穴阻挡层,所述电子传输层位于所述空穴阻挡层远离所述发光层的一侧。
在本申请的显示面板中,所述电子传输层的材料中所述金属的质量百分比为1%-5%。
在本申请的显示面板中,所述金属材料为铬、铜、银或金中的一种,所述金属氧化物的材料为氧化锌、氧化铜或氧化钛中的一种。
本申请还提供一种显示面板的制备方法,所述制备方法包括:
在基板上依次制备薄膜晶体管层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层以及空穴阻挡层;
在所述空穴阻挡层上制备电子传输层,所述电子传输层的材料为金属和金属氧化物的组合,所述电子传输层能吸收射入所述有机功能层的紫外线;
在所述电子传输层上制备阴极层和光耦合输出层;
进行薄膜封装形成封装层,制得显示面板。
在本申请的制备方法中,在所述空穴阻挡层上制备电子传输层的步骤包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110266670.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择