[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在基板上形成第一金属层；

在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成第一绝缘层；

对所述第一绝缘层进行蚀刻以形成第一过孔，所述第一过孔暴露出所述第一金属层；

对所述第一过孔内的第一金属层的表面进行还原处理以还原所述第一金属层的表面的金属氧化物和减少非稳定态金属原子。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成第一绝缘层之前，还包括：

使用还原性气体或惰性气体对所述第一金属层的表面进行吹扫处理。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述第一绝缘层进行蚀刻以形成第一过孔的步骤包括：

在所述第一绝缘层远离所述第一金属层的一侧形成一光阻层，所述光阻层覆盖所述第一绝缘层；

结合一掩模板对覆盖所述光阻层的第一绝缘层进行局部光照处理；

对所述局部光照处理后的第一绝缘层置入显影液中进行显影处理，以形成图案化的光阻层；

对所述显影处理后的第一绝缘层进行蚀刻处理，以形成所述第一过孔；

去除所述图案化的光阻层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述第一过孔内的第一金属层的表面进行还原处理的步骤包括：

将所述第一金属层置入一还原腔体内；

向所述还原腔体通入还原性气体的等离子体，所述等离子体与所述第一过孔内的第一金属层的表面发生还原反应以还原所述金属氧化物和减少所述非稳定态金属原子。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述还原性气体为氢气。

6.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述等离子体与所述第一金属层的表面发生还原反应的时间为20秒至40秒。

7.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述还原腔体的温度为340摄氏度至360摄氏度。

8.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述第一过孔内的第一金属层的表面进行还原处理的步骤之后，还包括：

在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一过孔；

对所述第二绝缘层对应所述第一过孔的位置进行蚀刻以形成第二过孔，所述第二过孔贯穿所述第一绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层的孔壁，所述第二过孔暴露出所述第一金属层。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述第二绝缘层进行蚀刻以形成第二过孔的步骤之后，还包括：

在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧形成第二金属层，所述第二金属层通过所述第二过孔与所述第一金属层接触。

10.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的制备方法制备的阵列基板。