[发明专利]一种新型的GaN基ESD防护电路

权利要求书

1.一种新型的GaN基ESD防护电路，其特征在于，包括作为主功率器件的第一增强型p-GaN HEMT器件、作为触发器件的第二增强型p-GaN HEMT器件、限流电阻和触发二极管组；所述限流电阻的一端与第一增强型p-GaN HEMT器件的栅极连接，限流电阻的另一端与第一增强型p-GaN HEMT器件的源极连接；触发二极管组由多个二极管串联构成，触发二极管组的阴极与第一增强型p-GaN HEMT器件的栅极连接，触发二极管组的阳极与第一增强型p-GaNHEMT器件的漏极连接；触发二极管组与第一增强型p-GaN HEMT器件漏极的连接点与第二增强型p-GaN HEMT器件的栅极连接；第二增强型p-GaN HEMT器件的源极与限流电阻的另一端连接。

2.根据权利要求1所述的一种新型的GaN基ESD防护电路，其特征在于，所述第一增强型p-GaN HEMT器件和第二增强型p-GaN HEMT器件的栅极金属与p-GaN层接触为欧姆接触或者肖特基接触。

3.根据权利要求1所述的一种新型的GaN基ESD防护电路，其特征在于，所述触发二极管组中的二极管为常关型横向场控功率二极管或者GaN基肖特基二极管。

4.根据权利要求3所述的一种新型的GaN基ESD防护电路，其特征在于，所述触发二极管中二极管的数量为3-10个。