[发明专利]一种等离子体光子晶体结构设计方法有效
申请号: | 202110262623.6 | 申请日: | 2021-03-11 |
公开(公告)号: | CN112926248B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 冯雪健;邓浩川;满良;霍超颖;韦笑;殷红成 | 申请(专利权)人: | 北京环境特性研究所 |
主分类号: | G06F30/23 | 分类号: | G06F30/23;G06F30/27;G06N3/006 |
代理公司: | 北京格允知识产权代理有限公司 11609 | 代理人: | 张莉瑜 |
地址: | 100854*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 光子 晶体 结构设计 方法 | ||
1.一种等离子体光子晶体结构设计方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、根据等离子体光子晶体结构的光子带隙要求,构造相应的损失函数;
S2、构建等离子体光子晶体结构模型,确定等离子体光子晶体结构的各参数及对应的变化范围,采用粒子群优化方法对各参数构成的参数向量进行初始化;
S3、将初始化结果代入到等离子体光子晶体结构模型对应的计算模型,利用时域有限差分方法进行透射系数的计算,得到相应的损失函数值;
S4、通过粒子群优化方法,迭代更新粒子的最优参数向量和种群最优参数向量;
S5、根据预先设定的迭代截止条件,结束粒子群优化方法的优化过程,确定满足光子带隙要求的等离子体光子晶体结构参数;
所述步骤S2中,确定等离子体光子晶体结构的各参数时,各参数包括:等离子体谐振频率ωp、等离子体碰撞频率ν、介质的介电常数ε、介质的磁导率μ、介质的电导率σ,以及单层的厚度d,构成等离子体光子晶体结构的参数向量g=[ωp,υ,ε,μ,σ,d]。
2.根据权利要求1所述的等离子体光子晶体结构设计方法,其特征在于:
所述步骤S1中,构造损失函数时,若等离子体光子晶体结构的光子带隙要求包括在(f1~f2)频段范围内,透射系数小于等于设定值C,则损失函数Cost的表达式为:
Cost=max(Tc(f1~f2))≤C
其中,Tc表示透射系数,max(Tc(f1~f2))表示在(f1~f2)频段范围内的透射系数最大值。
3.根据权利要求1所述的等离子体光子晶体结构设计方法,其特征在于:
所述步骤S2中,构建等离子体光子晶体结构模型时,等离子体与介质分层交替排列,总计M层,M为大于等于11小于20的奇数,两侧的外边界层均为等离子体,入射波为平面波,从一侧的外边界层垂直入射,每层的等离子体或介质的厚度均为d。
4.根据权利要求1所述的等离子体光子晶体结构设计方法,其特征在于:
所述步骤S2中,采用粒子群优化方法对各参数构成的参数向量进行初始化时,对参数向量g=[ωp,υ,ε,μ,σ,d]中的每个参数初始化,包括:
ωp=(a2-a1)·rand+a1
ν=(b2-b1)·rand+b1
ε=(c2-c1)·rand+c1
μ=(q2-q1)·rand+q1
σ=(m2-m1)·rand+m1
d=(s2-s1)·rand+s1
其中,ωp的变化范围为a1≤ωp≤a2,ν的变换范围为b1≤ν≤b2,ε的变化范围为c1≤ε≤c2,μ的变化范围为q1≤μ≤q2,σ的变化范围为m1≤σ≤m2,d的变化范围为s1≤d≤s2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京环境特性研究所,未经北京环境特性研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110262623.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种不上火特型黄酒制作工艺
- 下一篇:一种TWS耳机充电柱结构及安装方法