[发明专利]一种低熔点靶材的绑定方法在审
| 申请号： | 202110262375.5 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113088898A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 梁振耀;黄宇彬;毛远兴;童培云;朱刘 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 熔点 绑定 方法 | ||
1.一种低熔点靶材的绑定方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)待绑定的靶胚与背板进行预处理，得预处理后的靶胚和背板；
(2)在所述预处理后的背板的绑定面上形成石墨导电胶层，并在绑定面的绑定区域边缘布设铜丝或在绑定区域布设铜网；
(3)将预处理后的靶胚叠放在步骤(2)所得背板的绑定面上并定位；
(4)对靶胚表面设置施压物进行施压；
(5)在保持施压的条件下使石墨导电胶层固化，即得绑定后的靶材。
2.如权利要求1所述低熔点靶材的绑定方法，其特征在于，步骤(1)中，所述预处理包括：a.清洁绑定的靶胚与背板；b.在靶胚与背板的非绑定区域上覆盖耐高温胶布。
3.如权利要求1所述低熔点靶材的绑定方法，其特征在于，步骤(2)中，所述靶胚与背板的绑定面的Ra均在1.6微米以上。
4.如权利要求1所述低熔点靶材的绑定方法，其特征在于，步骤(2)中，所述石墨导电胶层的厚度为0.2～0.4mm。
5.如权利要求4所述低熔点靶材的绑定方法，其特征在于，步骤(2)中，所述铜丝的直径为0.2～0.4mm，所述铜网的厚度为0.2～0.4mm。
6.如权利要求1所述低熔点靶材的绑定方法，其特征在于，步骤(4)中，所述施压时间为至少12小时。
7.如权利要求1所述低熔点靶材的绑定方法，其特征在于，步骤(4)中，所述在靶胚表面设置施压物进行施压，施压物和靶胚之间设置隔层。
8.如权利要求1所述低熔点靶材的绑定方法，其特征在于，步骤(5)中，所述固化条件为：升温至80～100℃，保温1～3小时，然后升温至120～140℃保温1～3小时。
9.如权利要求2所述低熔点靶材的绑定方法，其特征在于，步骤(5)之后还包括步骤(6)：清除耐高温胶布，对靶材进行抛光，用无水乙醇清洁靶材表面。
10.如权利要求1所述低熔点靶材的绑定方法，其特征在于，所述靶材为铋、铟、锡和锡银中的至少一种。
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