[发明专利]一种硫酸铟铷二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用

权利要求书

1.一种硫酸铟铷二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，该晶体材料通过水热合成法制备得到，具体包括以下步骤：

（1）将铷源、铟源、硫酸和水混合形成初始混合原料；

（2）在180~230℃的水热条件下晶化即得所述硫酸铟铷晶体材料；

所述硫酸铟铷晶体材料的化学式为Rb₃In(SO₄)₃，属于三方晶系，其空间群为R3c，晶胞参数为a = 15.3~15.5 Å，b =15.3~15.5 Å，c = 9.0~9.2 Å，α = β = 90°，γ = 120°，Z =2，晶胞体积为V = 1884~1886 ų。

2.一种硫酸铟铷二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，该晶体材料通过水热合成法制备得到，具体包括以下步骤：

（1）将铷源、铟源、硫酸和水混合形成初始混合原料；

（2）在180~230℃的水热条件下晶化即得所述硫酸铟铷晶体材料；

所述硫酸铟铷晶体材料的化学式为Rb₃In(SO₄)₃，属于三方晶系，其空间群为R3c，晶胞参数为a = 15.4243 Å，b = 15.4243 Å，c = 9.1510 Å，α = β = 90°，γ = 120°，Z = 2，晶胞体积为V = 1885.43 ų。

3.根据权利要求1或2所述的硫酸铟铷二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，所述的铷源为硫酸铷；所述的铟源为氧化铟。

4.根据权利要求1或2所述的硫酸铟铷二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，所述的初始混合原料中铷元素、铟元素、硫酸的摩尔比例为（1.5~7）：（0.5~1）：（1.84~3.68）。

5.根据权利要求4所述的硫酸铟铷二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，所述的初始混合原料中铷元素、铟元素、硫酸的摩尔比例为（3~6）：1：1.84。

6.根据权利要求1或2所述的硫酸铟铷二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，所述水热条件的温度为180~230℃，所述晶化时间不少于48h，降温速率为0.5~15℃/h。

7.根据权利要求6所述的硫酸铟铷二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，所述水热条件的温度为220~230℃，所述晶化时间不少于72h，所述降温速率为0.5~6℃/h。

8.一种如权利要求1或2所述的制备方法得到的硫酸铟铷二阶非线性光学晶体材料的应用，其特征在于，所述晶体材料用于紫外激光变频输出。

9.根据权利要求8所述的硫酸铟铷二阶非线性光学晶体材料的应用，其特征在于，所述晶体材料在倍频发生器、光参量振荡器、光参量放大器和光电整流器的用途。