[发明专利]非层状Sn2 有效
| 申请号： | 202110261578.2 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113104885B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 何军;马什特·盖泰·仙台;王枫梅;高宁;王振兴 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00;B01J27/14;B01J37/02;B82Y30/00;B82Y40/00;C01B3/04 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 钱云 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层状 sn base sub | ||
1.一种非层状Sn2P2S6纳米片的制备方法，其特征在于，包括将硫磷混合粉末与SnS2纳米晶进行化学气相沉积反应的步骤；
其中，所述硫磷混合粉末位于反应器的上游，所述SnS2纳米晶位于下游，上游加热温度设为300℃，下游加热温度设为350℃。
2.根据权利要求1所述的非层状Sn2P2S6纳米片的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积反应的持续时间为30~60分钟。
3.根据权利要求1所述的非层状Sn2P2S6纳米片的制备方法，其特征在于，所述反应器内通有氩气，所述氩气的流量为80~120sccm。
4.根据权利要求3所述的非层状Sn2P2S6纳米片的制备方法，其特征在于，所述氩气的流量为100 sccm。
5.根据权利要求3所述的非层状Sn2P2S6纳米片的制备方法，其特征在于，在通入氩气之前，对反应器进行抽真空处理，并在反应过程中维持压力为50~200 Pa。
6.根据权利要求1~5任一项所述的非层状Sn2P2S6纳米片的制备方法，其特征在于，所述SnS2纳米晶通过溶剂热法制备得到。
7.根据权利要求6所述的非层状Sn2P2S6纳米片的制备方法，其特征在于，所述SnS2纳米晶的制备方法包括：
将硫代乙酰胺和五水四氯化锡溶解在异丙醇中获得反应前驱体溶液，将所述反应前驱体溶液转移至反应釜中，将基底斜靠于反应釜中，于170~200℃进行溶剂热反应，反应完成后得到负载于基底上的SnS2纳米晶。
8.权利要求1~7任一项所述制备方法制备得到的非层状Sn2P2S6纳米片。
9.根据权利要求8所述的非层状Sn2P2S6纳米片，其特征在于，所述非层状Sn2P2S6纳米片的厚度为7~12纳米，横向尺寸为1~5微米，纵向尺寸为4~8微米。
10.权利要求8或9所述的非层状Sn2P2S6纳米片在光催化析氢领域中的应用。
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