[发明专利]电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

基板；

多条栅极线，配置于所述基板上，并沿第一方向延伸；

数据线，配置于所述基板上，并沿第二方向延伸，其中所述第一方向与所述第二方向相交；

转接线，配置于所述基板上，所述转接线平行于所述数据线并彼此相邻，所述转接线连接所述多条栅极线的其中一条，所述转接线的至少一部分与所述数据线形成于同一第二导电层，且在电子装置的俯视图中，所述数据线与所述转接线错开；

多个像素结构，配置于所述基板上，所述多个像素结构的其中一者被所述多条栅极线的相邻两条以及所述转接线围绕且包括像素电极及主动元件，

其中所述转接线在所述基板上的高度小于所述数据线在所述基板上的高度；以及

至少一绝缘层，其中所述至少一绝缘层包括第一开口，所述第一开口在所述基板的垂直投影范围涵盖所述像素电极在所述基板的垂直投影范围，所述转接线配置于所述第一开口内，所述数据线配置于所述至少一绝缘层上。

2.如权利要求1所述的电子装置，其中所述至少一绝缘层由不同材质的绝缘材料彼此堆叠而成。

3.如权利要求1所述的电子装置，其中所述转接线的材质与所述数据线的材质相同。

4.如权利要求1所述的电子装置，其中在所述像素结构中，所述转接线与所述基板接触，所述转接线与所述数据线在所述基板上的高度差为所述至少一绝缘层的膜厚。

5.如权利要求4所述的电子装置，其中所述至少一绝缘层包括缓冲层、栅极绝缘层以及层间绝缘层，所述缓冲层与所述基板接触，所述栅极绝缘层的所在膜层位于所述主动元件的主动层的膜层与栅极的膜层之间，所述层间绝缘层的所在膜层位于所述栅极线的膜层与所述数据线的膜层之间，所述转接线与所述数据线的高度差为所述缓冲层、所述栅极绝缘层以及层间绝缘层的膜厚的总和。

6.如权利要求1所述的电子装置，其中在所述像素结构中，所述转接线与所述基板之间包括缓冲层，所述数据线与所述基板之间包括所述缓冲层以及所述至少一绝缘层。

7.如权利要求6所述的电子装置，其中所述至少一绝缘层包括栅极绝缘层以及层间绝缘层，所述栅极绝缘层的所在膜层位于所述主动元件的主动层的膜层与栅极的膜层之间，所述层间绝缘层的所在膜层位于所述栅极线的膜层与所述数据线的膜层之间，所述转接线与所述数据线的高度差为所述栅极绝缘层以及层间绝缘层的膜厚的总和。

8.如权利要求1所述的电子装置，其中所述主动元件与所述基板之间还包括遮光导体层，所述数据线由第二导电层所构成，所述转接线由所述遮光导体层与所述第二导电层直接堆叠而成。

9.如权利要求1所述的电子装置，其中所述至少一绝缘层包括位于所述栅极线与所述数据线之间的层间绝缘层，所述层间绝缘层还包括第一贯孔以及贯穿所述第一贯孔的第一导通结构，所述转接线经由所述第一导通结构连接所述多条栅极线的其中一条。

10.如权利要求9所述的电子装置，其中所述层间绝缘层还包括第二贯孔以及贯穿所述第二贯孔的第二导通结构，所述主动元件的源极经由所述第二导通结构连接所述数据线。

11.如权利要求10所述的电子装置，其中所述层间绝缘层还包括第三贯孔以及贯穿所述第三贯孔的第三导通结构，所述主动元件的漏极经由所述第三导通结构连接所述像素电极。

12.如权利要求1所述的电子装置，其中所述转接线与所述数据线具有相互平行的曲折图案。

13.如权利要求1所述的电子装置，其中所述像素电极于垂直所述基板方向上重叠所述转接线。

14.如权利要求1所述的电子装置，其中在电子装置的俯视图中，所述像素电极的边缘位于所述转接线与所述数据线之间，所述像素电极的所述边缘与所述转接线在基板投影上相距第一距离，所述像素电极的边缘与所述数据线在基板投影上相距第二距离，所述第一距离为至少2微米，所述第二距离为至少3微米。