[发明专利]电子装置有效
申请号: | 202110259971.8 | 申请日: | 2021-03-10 |
公开(公告)号: | CN113035888B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 王睦凯;黄国有;陈茂松 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G06F3/044;G09F9/30 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 傅磊;闫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
一种电子装置,包括基板、多条栅极线、多条数据线、多个像素结构、栅极转接线及转接结构。排列在同一行的多个像素结构按序与不同侧的数据线电性连接。栅极转接线所在的膜层与数据线所在的膜层相同。栅极转接线穿越像素结构及数据线之间而于基板上构成一跨线区域。转接结构所在的膜层不同于栅极转接线及数据线所在的膜层。在跨线区域中,栅极转接线及数据线的其中一者通过转接结构或像素结构的主动元件而跨越栅极转接线及数据线的另一者。
技术领域
本发明涉及一种电子装置,且特别涉及一种具有转接结构的电子装置。
背景技术
随着科技的进步,大尺寸面板多朝向窄边框设计的形态发展。目前多采用TGP(Tracking Gate-line in Pixel)窄边框技术,来进一步减少面板边框的宽度。
然而,TGP需绕过像素的主动元件,而通常为具有多个转折处的走线设计。如此使面板的电阻电容负载(resistance-capacitance loading,RC loading)增大1.5倍~2倍,且易发生与相邻数据线耦合或产生栅极/漏极电容(gate-drain capacitance,Cgd)等问题,进而影响电子装置中信号传递的品质。举例来说,显示面板的显示效果或触控面板的灵敏度会受到影响。因此如何规划线路布局、降低线路之间的耦合效应、避免电阻电容负载增加等问题,已成为目前研发人员所关注的议题。
发明内容
本发明提供一种电子装置,其设计可有助于降低电阻电容负载,且可避免线路之间的耦合进而改善电子装置的品质。
本发明的至少一实施例提供一种电子装置,包括基板、多条栅极线、多条数据线、多个像素结构、栅极转接线及转接结构。多条栅极线配置于基板上,且沿第一方向延伸。多条数据线配置于基板上,且沿第二方向延伸,其中第一方向与第二方向相交。多个像素结构阵列排列于基板上。每一像素结构被多条栅极线的相邻两条及多条数据线的相邻两条围绕且包括主动元件,其中沿第二方向排列在同一行的多个像素结构按序与不同侧的数据线电性连接。栅极转接线配置于基板上,且沿第二方向延伸。栅极转接线电性连接多条栅极线的其中一者,栅极转接线所在的膜层与多条数据线的膜层相同,且在电子装置的俯视图中,栅极转接线穿越多个像素结构的其中一者及与像素结构电性连接的数据线之间而于基板上构成一跨线区域。转接结构配置于基板上,且转接结构所在的膜层不同于栅极转接线及数据线所在的膜层。在跨线区域中,栅极转接线及数据线的其中一者通过转接结构或像素结构的主动元件而跨越栅极转接线及数据线的另一者。
在本发明的一实施例中,在上述跨线区域中,数据线通过转接结构而跨越栅极转接线,转接结构沿第一方向延伸,转接结构的两端分别连接数据线及像素结构的主动元件,且在电子装置的俯视图中,转接结构与栅极转接线相交。
在本发明的一实施例中,上述像素结构的主动元件还包括纵向导线,其中纵向导线配置于基板上,纵向导线的两端连接转接结构及主动元件,且在电子装置的俯视图中,栅极转接线位于数据线与纵向导线之间。
在本发明的一实施例中,上述电子装置还包括第一绝缘层,其中第一绝缘层覆盖栅极线,且具有第一通孔及第二通孔,在电子装置的俯视图中,第一通孔与数据线重叠,第二通孔与纵向导线重叠,其中第一通孔及第二通孔分别暴露出转接结构的一部分,数据线通过第一通孔连接至转接结构,转接结构通过第二通孔连接至纵向导线。
在本发明的一实施例中,上述像素结构更具有像素电极,像素电极与数据线分别电性连接至主动元件的相对两侧上的漏极与源极,且在电子装置的俯视图中,像素电极与栅极转接线相隔一距离。
在本发明的一实施例中,上述电子装置还包括第二绝缘层,第二绝缘层覆盖数据线及栅极转接线,且具有第三通孔,其中第三通孔暴露出主动元件的一部分,像素电极覆盖第三通孔的部分表面,以连接至主动元件。
在本发明的一实施例中,上述第二绝缘层包括下部绝缘层以及上部绝缘层,下部绝缘层共形地设置于第一绝缘层上,上部绝缘层配置于下部绝缘层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的