[发明专利]一种高维量子纠缠光源芯片、多维随机数产生系统在审
| 申请号： | 202110259518.7 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN112925146A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 吴泳锋;袁家琪;陈沐谷;蔡定平 | 申请（专利权）人： | 香港理工大学深圳研究院 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355;G02F1/35;G02B3/00;G06F7/58 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 徐凯凯 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区粤海街道高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 纠缠 光源 芯片 多维 随机数 产生 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种高维量子纠缠光源芯片，其特征在于，包括基底、设置在所述基底上的透镜阵列，以及覆盖在所述透镜阵列上方的BBO晶体。
2.根据权利要求1所述的高维量子纠缠光源芯片，其特征在于，所述透镜阵列的排布为：20*20。
3.根据权利要求1所述的高维量子纠缠光源芯片，其特征在于，所述BBO晶体的厚度为所述透镜阵列中透镜的两倍焦距。
4.根据权利要求1所述的高维量子纠缠光源芯片，其特征在于，所述透镜阵列中透镜的直径为120微米。
5.根据权利要求1所述的高维量子纠缠光源芯片，其特征在于，所述BBO晶体与所述透镜阵列贴合在一起。
6.根据权利要求1所述的高维量子纠缠光源芯片，其特征在于，所述BBO晶体与所述基底对应的侧边设置有封胶层。
7.根据权利要求1所述的高维量子纠缠光源芯片，其特征在于，所述基底为蓝宝石基底。
8.根据权利要求1所述的高维量子纠缠光源芯片，其特征在于，所述基底为二氧化硅基底。
9.根据权利要求1所述的高维量子纠缠光源芯片，其特征在于，所述透镜阵列中的透镜为GaN透镜、二氧化钛透镜或硅透镜中的一种。
10.一种多维随机数产生系统，其特征在于，包括权利要求1-9任一所述的高维量子纠缠光源芯片。
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