[发明专利]一种电压型光电转换器、装置及方法有效

专利信息
申请号: 202110259435.8 申请日: 2021-03-10
公开(公告)号: CN113098478B 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 王厚军;谭峰;廖霜;叶芃;邱渡裕;徐林;陈程;潘卉青;张沁川 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;G01D5/34;H01L25/16;H01L31/0203
代理公司: 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 代理人: 杨浩林
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 电压 光电 转换器 装置 方法
【说明书】:

发明公开了一种电压型光电转换器、装置及方法,本发明中光电转换器包括:方形基座、透光片、光频转换单元、频率电压转换单元和金属盖板,本发明中光电转换装置包括:光频转换单元、频率电压转换单元、信号调理采集单元、信号处理单元、显示单元和直流稳压单元;本发明光电转换方法为,测量有光和无光条件下频率电压转换单元的输出电压,通过电压计算光信号强度;本发明可以克服现有光电转换器件将光信号转换成电流信号或者电压信号时存在暗电流的问题。

技术领域

本发明涉及光子学,具体涉及一种电压型光电转换器、装置及方法。

背景技术

光电转换器是利用材料的光电效应制作而成的探测器,它主要利用光电效应将光信号转换成电信号。自光电效应发现至今,光电转换器件获得了突飞猛进的发展,已广泛应用于各行各业。

目前常用的光电效应转换器件有光敏电阻、光电池、光电倍增器、光电二极管、光电三极管等,这些光电转换器件都是基于半导体材料制成。光检测能力取决于材料的本征能带结构属性,例如吸收系数,并且取决于半导体结的几个特征,例如掺杂分布、结深度、隔离结构深度(LOCOS或STI)等。

光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器。光电池是把光能直接变成电能的器件,可作为能源器件使用。光电倍增管一般用来检测强度较弱的光信号,其性能主要由光阴极、倍增极和极间电压决定。光电二极管和光电三极管利用了PN结的反向特性,没有光照时,PN结反向电流极其微弱;有光照时,PN结反向电流迅速增大产生光电流。光的强度越大,反向电流也越大。光的变化引起光电二极管或者光电三极管的电流发生变化。

当然,上述几种光电转换器件是将光信号转换成电流信号或者电压信号,也存在一定的缺陷和不足,比如:光敏电阻在强光照射下光电转换线性较差,光电驰豫过程较长,频率响应(器件检测变化很快的光信号的能力)很低。光电池的频率响应尤其是高频响应特性很差。光电倍增管主要用作微弱光信号检测,应避免强光直接入射。光电二极管和光电三极管都存在暗电流。暗电流必须预先测量,特别是当光电二极管被用作精密的光功率测量时,暗电流产生的误差必须认真考虑并加以校正。

发明内容

针对现有技术中的上述不足,本发明提供的一种电压型光电转换器、装置及方法解决了现有光电转换器件将光信号转换成电流信号或者电压信号时存在暗电流的问题。

为了达到上述发明目的,本发明采用的技术方案为:一种电压型光电转换器,包括:方形基座、透光片、光频转换单元、频率电压转换单元和金属盖板;

所述光频转换单元与频率电压转换单元通信连接;所述光频转换单元和频率电压转换单元固定于方形基座中;所述金属盖板和透光片分别与方形基座固定连接。

进一步地,方形基座的材料为陶瓷。

进一步地,光频转换单元包括:驱动电路和压电谐振式传感器;所述压电谐振式传感器的输出端与驱动电路的输入端连接。

进一步地,方形基座的内部两侧长边方向从下至上均包括:第一层台阶、第二层台阶、第三层台阶和第四层台阶;

所述第一层台阶的踏面和第二层台阶的垂面构成的区域为方形基座底部的凹槽;所述驱动电路和频率电压转换单元固定在凹槽中;所述凹槽底部的四个角的表面镀有金属层;所述第二层台阶的踏面镀有金属层,所述第二层台阶踏面的金属层与沿方形基座内壁到驱动电路的金属化走线连接;所述压电谐振式传感器固定于第二层台阶的踏面;所述透光片固定于第三层台阶;所述第四层台阶分布于方形基座的四周,其踏面镀有金属层;所述第四层台阶与金属盖板固定连接。

上述进一步方案的有益效果为:方形基座和开窗的金属盖板主要是与透光片一起,将驱动电路和频率电压转换单元封装起来,起密封作用,防止受到污染而影响其性能。

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