[发明专利]显示基板和显示装置在审
申请号: | 202110259196.6 | 申请日: | 2021-03-10 |
公开(公告)号: | CN113035927A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 向炼;冯佑雄 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3208;G09G3/3266 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亚;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
本公开提供一种显示基板和显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的显示基板中ELVSS电源走线在拐角处具有较大电流密度的问题。本公开的显示基板包括:包括:衬底基板,衬底基板包括显示区和围绕显示区的非显示区,非显示区包括绑定区、第一走线区、第二走线区和第三走线区,其中,绑定区与第一走线区相对,第二走线区和第三走线区相对;发光器件,位于显示区,且形成在衬底基板上;第一电源线,位于非显示区,被配置为发光器件的阴极提供第一电源电压;第一电源线包括电源线段,且第二走线区和第三走线区中的至少一者内设置有电源线段;其中,电源线段的线宽沿第一走线区指向绑定区的方向单调增。
技术领域
本公开属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
传统显示装置中,ELVDD电源走线呈网格状排布,ELVSS电源走线通过外围金属导线搭接至OLED器件的阴极,可等效为网状。驱动薄膜场效应晶体管(thin filmtransistor,TFT)的驱动电流驱动OLED发光,该驱动电流从电源正极电压VVDD流向电源负极电压VVSS。由于ELVSS电源走线在拐角处具有较大的电流密度,因此会导致此部位发热严重,从而会灼烧ELVSS电源走线上下的有机膜层,进而导致产品不良。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种显示基板和显示装置。
第一方面,本公开实施例提供一种显示基板,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区,所述非显示区包括绑定区、第一走线区、第二走线区和第三走线区,其中,所述绑定区与所述第一走线区相对,所述第二走线区和所述第三走线区相对;
发光器件,位于所述显示区,且形成在所述衬底基板上;
第一电源线,位于所述非显示区,被配置为所述发光器件的阴极提供第一电源电压;所述第一电源线包括电源线段,且所述第二走线区和所述第三走线区中的至少一者内设置有所述电源线段;其中,
所述电源线段的线宽沿所述第一走线区指向所述绑定区的方向单调增。
可选地,显示基板还包括:
沿所述第一走线区指向所述绑定区的方向上并排设置的多个像素单元组,每个像素单元组包括沿所述第一走线区指向所述绑定区的方向上并排设置的多行像素单元;
多个控制电路,每个控制电路为每个像素单元组中的多行所述像素单元提供控制信号,且所述控制电路并排设置形成与所述像素单元组对应设置的多个控制电路组,且在沿所述第一走线区指向所述绑定区的方向上所述控制电路组中的控制电路的数量单调减。
可选地,所述至少部分相邻设置的控制电路组中的控制电路的数量相同。
可选地,多个所述控制电路组划分为多个控制电路单元,且同一所述控制电路单元中的各所述控制电路组中控制电路的个数相同;其中,位于不同的所述控制电路电路单元中的所述控制电路组的数量相同。
可选地,多个所述控制电路组划分为多个控制电路单元,且同一所述控制电路单元中的各所述控制电路组中控制电路的个数相同;其中,位于不同的所述控制电路电路单元的所述控制电路组中的所述控制电路的数量不同。
可选地,所述控制电路包括栅极驱动电路、复位控制电路、发光控制电路中的至少一种或多种。
可选地,所述第二走线区和所述第三走线区中均设置有所述电源线段,所述电源线段均与所述发光器件的阴极电连接。
可选地,所述第一走线区也设置有电源线段,所述第一走线区的电源线段与所述第二走线区和所述第三走线区中的所述电源线段电连接。
可选地,所述发光器件包括OLED、mini-OLED或者Micro-OLED中的至少一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110259196.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的