[发明专利]一种磁传感器

权利要求书

1.一种磁传感器，用于检测一被测磁场H_DC，其特征在于，包括：

压磁组件，所述压磁组件包括相对而设的第一压磁元件和第二压磁元件；

磁致伸缩组件，所述磁致伸缩组件包括相对而设的第一磁致伸缩元件和第二磁致伸缩元件，分设于所述第一压磁元件和第二压磁元件的同侧或法向侧；

压电组件，所述压电组件包括沉积在所述第一压磁元件下方的第一压电元件、沉积在所述第二压磁元件下方的第二压电元件、沉积在所述第一磁致伸缩元件下方的第三压电元件和沉积在所述第二磁致伸缩元件下方的第四压电元件；

所述第一压电元件和第二压电元件电连接至一电源电路产生第一形变，所述第一形变施加至所述第一压磁元件和第二压磁元件以生成一交变磁场H_AC；

所述交变磁场H_AC和被测磁场H_DC叠加形成磁回路，使得所述第一磁致伸缩元件形成第二形变，所述第二磁致伸缩元件形成第三形变，所述第二形变和第三形变分别于所述第三压电元件和第四压电元件上形成第一电势和第二电势，所述磁传感器基于所述第一电势和第二电势计算被测磁场H_DC的磁场强度。

2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

所述第一磁致伸缩元件和第二磁致伸缩元件分设于所述第一压磁元件和第二压磁元件的法向侧，以形成一矩形磁感应层；

第一磁致伸缩元件、第二磁致伸缩元件、第一压磁元件和第二压磁元件设于同一水平层上。

3.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

所述第一磁致伸缩元件和第二磁致伸缩元件分设于所述第一压磁元件和第二压磁元件的同侧，以形成一磁感应条，且

第一磁致伸缩元件设于所述第一压磁元件上，所述第二磁致伸缩元件设于第二压磁元件上。

4.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

所述第一磁致伸缩元件和第二磁致伸缩元件分设于所述第一压磁元件和第二压磁元件的同侧，以形成磁感应条，且

所述第一压磁元件设于第一磁致伸缩元件的两端旁侧，所述第二压磁元件设于第二磁致伸缩元件的两端旁侧。

5.如权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，

至少两条磁感应条并列排布形成传感阵列，其中每一磁感应条平行分布。

6.如权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，所述磁传感器还包括：

磁导元件，设于所述第一磁致伸缩元件和第二磁致伸缩元件的两端，以增强所述磁致伸缩组件侧的磁场放大率；

当具有所述矩形磁感应层时，所述磁导元件延伸直至与所述第一压磁元件和第二压磁元件的两端连接，以维持所述矩形磁感应层。

7.如权利要求3-5任一项所述的磁传感器，其特征在于，所述磁传感器还包括：

磁导元件，设于所述第一磁致伸缩元件和第二磁致伸缩元件的两端，以增强所述磁致伸缩组件侧的磁场放大率；

当具有所述磁感应条时，所述磁导元件延伸直至与所述第一压磁元件和第二压磁元件的两端连接，或所述磁导元件延伸形成所述磁传感器的端部，以在压磁组件和磁致伸缩组件之间保持磁性连接。

8.如权利要求6所述的磁传感器，其特征在于，

所述磁导元件由磁性合金包括Fe，Co，Ni，Si，B中的一种或多种制成；所述磁导元件具有至少为1000的磁导率。

9.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁传感器还包括：

绝缘元件，间隔设于所述第一压电元件、第二压电元件、第三压电元件、第四压电元件间；

导电元件，沉积于所述压电组件的下方。