[发明专利]一种基于SnSe/SnO2 在审
申请号: | 202110258297.1 | 申请日: | 2021-03-10 |
公开(公告)号: | CN113054055A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 凌翠翠;冯冰心;侯志栋;曹敏;张拓 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(华东) |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/109;H01L31/0392;C23C14/04;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266580 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 snse sno base sub | ||
本发明属于光探测技术领域,具体涉及一种自驱动光电探测器,该自驱动光电探测器,由上至下依次包括导电银胶点电极、金属钯前电极、硒化锡纳米薄膜层、二氧化锡多层球壳结构薄膜层、硅单晶基底和金属铟背电极。二氧化锡多层球壳结构薄膜层通过水热法、煅烧法、丝网印刷技术等方法制备,硒化锡薄膜层由直流磁控溅射技术制备,器件表现出良好的自驱动光探测性能,稳定性好,从紫外到近红外区域都具有响应特性。
技术领域
本发明属于光探测技术领域,具体涉及一种自驱动光电探测器及其制备方法。
技术背景
光信号到电信号的转换是现在日常生活中许多技术的核心,光电探测器就是通过光电效应实现这一光电转换的电子器件。它的一些应用已经趋于成熟,例如视频成像、光学信息、生物成像、夜视仪等。随着应用的需求和发展,对于光电探测中更快的响应、更宽的波长响应范围,以及灵活性,高效性等要求也越来越高。[Inorg.Chem.Front.,2019,6,1968]金属氧化物具有优异的耐热性、抗毒性和稳定性等,并且无毒、廉价、容易制备,二氧化锡(SnO2)作为一种优秀的透明导电半导体氧化物,具有超宽的禁带宽度,SnO2材料制成的纳米结构对紫外光具有较好的吸收,在可见和红外区域也具有良好的透光性,因此在光电领域具有较高的应用价值。但由于其载流子的分离、复合率高,导致其光谱响应较差,这极大的限制了SnO2在光学领域的应用。因此拓宽其光谱响应范围、降低其载流子的复合速率,与此同时保持SnO2在光电探测中的稳定性,是当前研究的重难点。[Advanced ElectronicMaterials,2019:1901048.]通过水热法、煅烧法等手段制备出SnO2多层球壳结构,这一多层球壳结构存在丰富的空腔,可以对光线进行多次折射和反射,可以提高探测器的光线吸收能力。
硒化锡(SnSe)作为一种窄带隙的二维半导体材料,对太阳光谱具有较宽范围的吸收,从紫外到近红外区域都具有良好的光响应特性,在宽光带光电探测器领域具有广阔的应用前景。[Ceramics International,45,2019,13275-13282]将SnSe与SnO2相结合,有望提高SnO2基光电探测器在近红外区域的光响应特性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有自驱动光响应功能,且周期性好的SnSe/SnO2多层球壳/Si异质结的自驱动光电探测器及其制备方法,可以提高目前SnO2基自驱动光电探测器在近红外区域的光电探测性能。
本发明为实现上述目的所要解决的技术问题是,通过水热法、煅烧法、丝网印刷法、磁控溅射法等方法,提高光电探测器的性能,即通过水热法、煅烧法、丝网印刷技术等在硅基底表面制备SnO2多层球壳结构薄膜层,再通过磁控溅射法在SnO2表面溅射SnSe薄膜层,以获得具有优异性能的自驱动光电探测器。
本发明为实现上述目的所采用的技术方案是,一种基于SnSe/SnO2多层球壳/Si异质结的自驱动光电探测器,其特征在于,所制备探测器为层状结构,由上至下依次包括导电银胶点电极、金属Pd前电极、SnSe纳米薄膜层、SnO2多层球壳结构薄膜层、Si单晶基底和金属In背电极。
本发明所阐述的一种基于SnSe/SnO2多层球壳/Si异质结的自驱动光电探测器的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)切出所需大小Si片,分别用离子水、丙酮、无水乙醇依次清洗,去除表面污染物;
(2)对清洗完成后的Si基底进行干燥;
(3)将10.27克蔗糖溶解于60毫升去离子水中,磁力搅拌5~10分钟至蔗糖溶解,把蔗糖溶液倒入100毫升聚四氟乙烯反应釜内衬中进行水热反应,在180~200摄氏度下反应4~6小时,自然冷却至室温;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国石油大学(华东),未经中国石油大学(华东)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110258297.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
- 碳涂覆的阳极材料
- 一种SnO<sub>2</sub>-Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>复合压敏陶瓷及制备方法
- 一种La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SnO<sub>2</sub>-Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>压敏-电容双功能陶瓷材料及其制备方法
- 一种La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SnO<sub>2</sub>-Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>压敏-电容双功能陶瓷材料及其制备方法
- Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>/SnO<sub>2</sub>复合纳米结构、其制备方法及用途
- 一种SnO<sub>2</sub>纳米线阵列的制备方法
- 异质结二氧化锡气敏材料的制备方法及其产品和应用
- 分级结构的SnO2气敏材料及其制备方法
- 一种山茶花状ZnO/SnO-SnO<base:Sub>2
- 低电阻率Ag/SnO2电工触头材料及其制备