[发明专利]一种基于SnSe/SnO2在审

专利信息
申请号: 202110258297.1 申请日: 2021-03-10
公开(公告)号: CN113054055A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 凌翠翠;冯冰心;侯志栋;曹敏;张拓 申请(专利权)人: 中国石油大学(华东)
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/109;H01L31/0392;C23C14/04;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/35
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地址: 266580 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 snse sno base sub
【说明书】:

发明属于光探测技术领域,具体涉及一种自驱动光电探测器,该自驱动光电探测器,由上至下依次包括导电银胶点电极、金属钯前电极、硒化锡纳米薄膜层、二氧化锡多层球壳结构薄膜层、硅单晶基底和金属铟背电极。二氧化锡多层球壳结构薄膜层通过水热法、煅烧法、丝网印刷技术等方法制备,硒化锡薄膜层由直流磁控溅射技术制备,器件表现出良好的自驱动光探测性能,稳定性好,从紫外到近红外区域都具有响应特性。

技术领域

本发明属于光探测技术领域,具体涉及一种自驱动光电探测器及其制备方法。

技术背景

光信号到电信号的转换是现在日常生活中许多技术的核心,光电探测器就是通过光电效应实现这一光电转换的电子器件。它的一些应用已经趋于成熟,例如视频成像、光学信息、生物成像、夜视仪等。随着应用的需求和发展,对于光电探测中更快的响应、更宽的波长响应范围,以及灵活性,高效性等要求也越来越高。[Inorg.Chem.Front.,2019,6,1968]金属氧化物具有优异的耐热性、抗毒性和稳定性等,并且无毒、廉价、容易制备,二氧化锡(SnO2)作为一种优秀的透明导电半导体氧化物,具有超宽的禁带宽度,SnO2材料制成的纳米结构对紫外光具有较好的吸收,在可见和红外区域也具有良好的透光性,因此在光电领域具有较高的应用价值。但由于其载流子的分离、复合率高,导致其光谱响应较差,这极大的限制了SnO2在光学领域的应用。因此拓宽其光谱响应范围、降低其载流子的复合速率,与此同时保持SnO2在光电探测中的稳定性,是当前研究的重难点。[Advanced ElectronicMaterials,2019:1901048.]通过水热法、煅烧法等手段制备出SnO2多层球壳结构,这一多层球壳结构存在丰富的空腔,可以对光线进行多次折射和反射,可以提高探测器的光线吸收能力。

硒化锡(SnSe)作为一种窄带隙的二维半导体材料,对太阳光谱具有较宽范围的吸收,从紫外到近红外区域都具有良好的光响应特性,在宽光带光电探测器领域具有广阔的应用前景。[Ceramics International,45,2019,13275-13282]将SnSe与SnO2相结合,有望提高SnO2基光电探测器在近红外区域的光响应特性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有自驱动光响应功能,且周期性好的SnSe/SnO2多层球壳/Si异质结的自驱动光电探测器及其制备方法,可以提高目前SnO2基自驱动光电探测器在近红外区域的光电探测性能。

本发明为实现上述目的所要解决的技术问题是,通过水热法、煅烧法、丝网印刷法、磁控溅射法等方法,提高光电探测器的性能,即通过水热法、煅烧法、丝网印刷技术等在硅基底表面制备SnO2多层球壳结构薄膜层,再通过磁控溅射法在SnO2表面溅射SnSe薄膜层,以获得具有优异性能的自驱动光电探测器。

本发明为实现上述目的所采用的技术方案是,一种基于SnSe/SnO2多层球壳/Si异质结的自驱动光电探测器,其特征在于,所制备探测器为层状结构,由上至下依次包括导电银胶点电极、金属Pd前电极、SnSe纳米薄膜层、SnO2多层球壳结构薄膜层、Si单晶基底和金属In背电极。

本发明所阐述的一种基于SnSe/SnO2多层球壳/Si异质结的自驱动光电探测器的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

(1)切出所需大小Si片,分别用离子水、丙酮、无水乙醇依次清洗,去除表面污染物;

(2)对清洗完成后的Si基底进行干燥;

(3)将10.27克蔗糖溶解于60毫升去离子水中,磁力搅拌5~10分钟至蔗糖溶解,把蔗糖溶液倒入100毫升聚四氟乙烯反应釜内衬中进行水热反应,在180~200摄氏度下反应4~6小时,自然冷却至室温;

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