[发明专利]红外发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110258026.6 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113193088A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王世俊;董耀尽;张振龙 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红外 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种红外发光二极管外延片，其特征在于，所述红外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型GaInP腐蚀停层、n型GaAs欧姆接触层、n型AlGaAs电流扩展层、n型AlGaAs限制层、发光层、p型AlGaAs限制层，p型AlGaAs电流扩展层及p型GaAsP欧姆接触层。
2.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述p型GaAsP欧姆接触层的厚度为55nm～120nm。
3.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述p型GaAsP欧姆接触层中的p型掺杂元素为碳。
4.根据权利要求1～3任一项所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述p型GaAsP欧姆接触层包括依次层叠在所述p型AlGaAs电流扩展层的渐变子层与匹配子层，所述渐变子层中的P组分沿所述渐变子层的生长方向升高；所述匹配子层中的P组分不变。
5.根据权利要求4所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述渐变子层中P组分由0.05渐变至y，0.15≦y≦0.3；所述匹配子层中P组分大于或者等于0.15，所述匹配子层中P组分小于或者等于0.3。
6.根据权利要求5所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述匹配子层中的P组分与所述渐变子层中P组分的最大值相等。
7.根据权利要求4所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述渐变子层的厚度与所述匹配子层的厚度分别为5～20nm和50～100nm。
8.根据权利要求4所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述渐变子层中掺杂的碳元素浓度与所述匹配子层中掺杂的碳元素浓度分别为1～3E18和3E19～5E20。
9.一种红外发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述红外发光二极管外延片制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长n型GaInP腐蚀停层；
在所述n型GaInP腐蚀停层上生长n型GaAs欧姆接触层；
在所述n型GaAs欧姆接触层上生长n型AlGaAs电流扩展层；
在所述n型AlGaAs电流扩展层上生长n型AlGaAs限制层；
在所述n型AlGaAs限制层上生长发光层；
在所述发光层上生长p型AlGaAs限制层；
在所述p型AlGaAs限制层上生长p型AlGaAs电流扩展层；
在所述p型AlGaAs电流扩展层上生长p型GaAsP欧姆接触层。
10.根据权利要求9所述的红外发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述在所述p型AlGaAs电流扩展层上生长p型GaAsP欧姆接触层，包括：
在所述p型AlGaAs电流扩展层上生长渐变子层；
在所述渐变子层上生长匹配子层，所述渐变子层与所述匹配子层的材料均为GaAsP，所述匹配子层的生长温度低于所述渐变子层的生长温度。
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