[发明专利]发光二极管外延片制备方法有效
| 申请号： | 202110258024.7 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113193087B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长非掺杂GaN层；
在反应腔的温度为600~800℃的条件下，向所述反应腔通入时长为第一设定时长的氨气；
在所述非掺杂GaN层上生长n型GaN层；
在所述反应腔的温度为600~800℃的条件下，向所述反应腔通入时长为第二设定时长的氨气，所述第一设定时长小于所述第二设定时长，向反应腔通入时长为第一设定时长的氨气的流量，小于向所述反应腔通入时长为第二设定时长的氨气的流量，向反应腔通入时长为第一设定时长的氨气的过程中所述反应腔的温度，高于向反应腔通入时长为第二设定时长的氨气的过程中所述反应腔的温度；
在所述n型GaN层上生长多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长p型GaN层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述第一设定时长与所述第二设定时长之比为1:1.5~1:4。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述第一设定时长为15~50s，所述第二设定时长为20~60s。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，向反应腔通入时长为第一设定时长的氨气的流量，与向所述反应腔通入时长为第二设定时长的氨气的流量之比为1:1.5~1:3。
5.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述向反应腔通入时长为第一设定时长的氨气，包括：
向所述反应腔通入时长为第一设定时长，且流量为10~40L的氨气。
6.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述向反应腔通入时长为第二设定时长的氨气，包括：
向所述反应腔通入时长为第二设定时长，且流量为15~50L的氨气。
7.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，向反应腔通入时长为第一设定时长的氨气的过程中所述反应腔的温度为700~800℃。
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