[发明专利]一种静电保护电路有效

专利信息
申请号: 202110257889.1 申请日: 2021-03-09
公开(公告)号: CN113036742B 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 李志国 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H02H1/00 分类号: H02H1/00;H02H9/04;H02H7/20;H01L27/02
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 刘鹤;张颖玲
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 静电 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种静电保护电路,其特征在于,包括:并联连接于静电端和接地端之间的检测单元、耦合单元和放电单元;其中,

所述检测单元,用于检测所述静电端和所述接地端之间的电信号,并基于第一检测结果输出用于控制所述耦合单元导通的第一控制信号;

所述耦合单元,基于所述第一控制信号导通,并耦合输出第二控制信号;

所述放电单元,基于所述第二控制信号进行静电泄放;

所述第一检测结果包括第一检测信号和第二检测信号;

所述检测单元包括并联连接于所述静电端和所述接地端之间的频率检测子单元、电压检测子单元和判断子单元;其中,

所述频率检测子单元在检测到所述电信号的频率在静电信号的频率范围内时输出所述第一检测信号;

所述电压检测子单元在检测到所述电信号的电压在静电信号的电压范围内时输出所述第二检测信号;

所述判断子单元基于所述第一检测信号和所述第二检测信号输出用于控制所述耦合单元导通的所述第一控制信号。

2.根据权利要求1所述的静电保护电路,其特征在于,所述频率检测子单元包括第一电阻、第一电容和反相器,所述第一电阻和所述第一电容串联连接构成第一电阻电容耦合电路;其中,

所述第一电阻的一端与所述静电端耦接,所述第一电阻的另一端与所述第一电容耦接;

所述第一电容的一端与所述第一电阻耦接,所述第一电容的另一端与所述接地端耦接;

所述第一电阻和所述第一电容之间相互耦接的一端与所述反相器的输入端耦接,所述反相器的输出端与所述判断子单元的输入端耦接。

3.根据权利要求2所述的静电保护电路,其特征在于,所述第一电阻电容耦合电路的时间常数在1-50纳秒之间。

4.根据权利要求2所述的静电保护电路,其特征在于,所述频率检测子单元还包括第一开关管;其中,

所述第一开关管的栅极与所述反相器的输出端耦接,所述第一开关管的漏极与所述静电端耦接,所述第一开关管的源极与所述反相器的输入端耦接。

5.根据权利要求1所述的静电保护电路,其特征在于,所述电压检测子单元包括串联连接于所述静电端和所述接地端之间的单向导通器件、第二电阻和第二开关管;其中,

所述单向导通器件的一端与所述静电端耦接,所述单向导通器件的另一端与所述第二电阻及所述判断子单元的输入端耦接;

所述第二电阻的一端与所述单向导通器件及所述判断子单元的输入端耦接,所述第二电阻的另一端与所述第二开关管耦接;

所述第二开关管的栅极和漏极连接并与所述第二电阻耦接,所述第二开关管的源极与所述接地端耦接。

6.根据权利要求5所述的静电保护电路,其特征在于,所述单向导通器件包括至少一个二极管。

7.根据权利要求1所述的静电保护电路,其特征在于,所述判断子单元包括逻辑与非门;其中,

所述逻辑与非门的一个输入端与所述频率检测子单元的输出端耦接,所述逻辑与非门的另一个输入端与所述电压检测子单元的输出端耦接,所述逻辑与非门的输出端与所述耦合单元的输入端耦接。

8.根据权利要求1所述的静电保护电路,其特征在于,所述耦合单元包括串联连接于所述静电端与所述接地端之间的第二电容、第三开关管和第三电阻;其中,

所述第二电容的一端与所述静电端耦接,所述第二电容的另一端与所述第三开关管耦接;

所述第三开关管的栅极与所述检测单元的输出端耦接,所述第三开关管的源极与所述第二电容耦接,所述第三开关管的漏极与所述第三电阻及所述放电单元的输入端耦接;

所述第三电阻的一端与所述第三开关管及所述放电单元的输入端耦接,所述第三电阻的另一端与所述接地端耦接;

所述第二电容和所述第三电阻在所述第三开关管导通后构成第二电阻电容耦合电路。

9.根据权利要求8所述的静电保护电路,其特征在于,所述第二电阻电容耦合电路的时间常数在50纳秒至5000纳秒之间。

10.根据权利要求1所述的静电保护电路,其特征在于,所述放电单元包括:第四开关管;其中,

所述第四开关管的栅极与所述耦合单元的输出端耦接,所述第四开关管的漏极与所述静电端耦接,所述第四开关管的源极与所述接地端耦接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110257889.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top