[发明专利]压力传感器及其制作方法、及电子设备

权利要求书

1.一种压力传感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底的表面开设有凹槽；

石墨烯感应层，所述石墨烯感应层设于所述基底设有所述凹槽的表面，并覆盖所述凹槽以形成压力腔；以及

压电材料层，所述压电材料层设于所述石墨烯感应层背向所述基底的表面；

其中，所述压电材料层中压电材料为锆钛酸铅。

2.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述压电材料层的厚度范围为500nm-1000nm。

3.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述石墨烯感应层的厚度范围为0.3nm-0.4nm。

4.如权利要求1至3中任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述基底包括硅基底和设于所述硅基底表面的硅基底，所述凹槽开设于所述硅基底背向所述硅基底的表面，并贯穿所述硅基底的另一表面。

5.如权利要求4所述的压力传感器，其特征在于，所述硅基底的厚度范围为0.5μm-1μm；

和/或，所述硅基底的厚度范围为300μm-500μm。

6.如权利要求1至3中任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述压力传感器还包括电极，所述电极设于所述基底朝向所述石墨烯感应层的表面，且所述电极电性抵接于所述石墨烯感应层。

7.一种压力传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

制作一基底，并在所述基底的表面开设凹槽；

在所述基底设有所述凹槽的表面制作一层石墨烯感应层，使得所述石墨烯感应层覆盖所述凹槽以形成压力腔；

在所述石墨烯感应层背向所述基底的表面制作一层压电材料层，干燥后得到压力传感器。

8.如权利要求7所述压力传感器的制作方法，其特征在于，在所述石墨烯感应层背向所述基底的表面制作一层压电材料层，干燥后得到压力传感器的步骤中，包括：

将锆钛酸铅纳米线溶解于有机醇溶剂中，得到锆钛酸铅膜液，

将所述锆钛酸铅膜液涂覆在所述石墨烯感应层背向所述基底的表面，干燥后得到压力传感器。

9.如权利要求8所述压力传感器的制作方法，其特征在于，所述锆钛酸铅纳米线与所述有机醇溶剂的配比范围为(10mg-20mg):(10ml-15ml)；

和/或，所述锆钛酸铅纳米线的直径范围为270nm-300nm。

10.如权利要求7至9中任一项所述压力传感器的制作方法，其特征在于，所述制作一基底，并在所述基底的表面开设凹槽的步骤中，包括：

在硅基底的表面制作一层硅基底；

在所述硅基底背向所述硅基底的表面开设凹槽，使得所述凹槽贯穿所述硅基底的另一表面。

11.如权利要求7至9中任一项所述压力传感器的制作方法，其特征在于，在所述基底设有所述凹槽的表面制作一层石墨烯感应层，使得所述石墨烯感应层覆盖所述凹槽以形成压力腔的步骤之后，还包括：

在所述基底朝向所述石墨烯感应层的表面制作电极，使得所述电极电性抵接于所述石墨烯感应层。

12.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至6中任一项所述压力传感器。