[发明专利]一种中高压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种中高压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：准备衬底；

步骤2：在所述衬底表面的原胞区和保护环区生成第一层二氧化硅层；

步骤3：在所述原胞区和保护环区刻蚀沟槽；

步骤4：在所述衬底的表面进行热氧化场氧生长，使得所述沟槽的内壁以及衬底表面形成厚场氧；

步骤5：向所述沟槽内填充多晶硅，填充后刻蚀所述多晶硅，使得所述多晶硅表面与所述衬底表面的厚场氧表面齐平；

步骤6：将所述衬底的保护环区涂胶保护，对所述衬底的原胞区的多晶硅进行刻蚀，去除部分多晶硅，未刻蚀的多晶硅形成屏蔽栅；

步骤7：采用腐蚀液腐蚀掉所述衬底表面全部的厚场氧以及屏蔽栅区的部分厚场氧；

步骤8：采用机械打磨工艺磨平终端区凸出部分的多晶硅，使得终端区多晶硅表面与衬底表面齐平；

步骤9：在所述衬底的表面再进行热氧化场氧生长；

步骤10：在所述屏蔽栅区的热氧化场氧沉积第二层多晶硅；并且对所述多晶硅进行刻蚀打磨，形成控制栅；

步骤11：对所述控制栅进行常规体区和源区离子注入，后段金属通孔和金属互连，背面减薄和背面金属化工艺，完成整个中高压SGT晶体管制作。

2.根据权利要求1所述的中高压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤2中，所述二氧化硅层的厚度为4000埃~5000埃。

3.根据权利要求1所述的中高压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤3中，所述沟槽的宽度为：1um~2um，深度为深度：5um~7um，相邻沟槽之间的间距为间距：0.5um~1um。

4.根据权利要求1所述的中高压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤4中，所述厚场氧的厚度为5000埃~7000埃。

5.根据权利要求1所述的中高压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤5中，利用干法刻蚀或者机械研磨刻蚀所述多晶硅。

6.根据权利要求1所述的中高压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤6中，所述原胞区沟槽内多晶硅刻蚀1.2um~1.7um。

7.根据权利要求1所述的中高压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤7中，所述屏蔽栅区的部分厚场氧的刻蚀量为所述屏蔽栅区原厚场氧量的10～30%。

8.根据权利要求1所述的中高压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤9中，再生成的所述厚场氧的厚度为500埃~1000埃。

9.根据权利要求1所述的中高压屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤10中，所述控制栅区的多晶硅刻蚀至与衬底表面齐平。