[发明专利]坏块筛选方法、装置、可读存储介质及电子设备

说明书

本发明公开一种坏块筛选方法、装置、可读存储介质及电子设备，在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定所述待筛选块中当前页的第一比特翻转个数；判断所述第一比特翻转个数是否超过第一预设阈值，若是，则多次读取所述当前页的原始数据，根据多次读取结果确定所述当前页的第二比特翻转个数；根据所述当前页的原始数据确定存储单元测试率，并根据所述第二比特翻转个数与所述存储单元测试率确定所述当前页的第三比特翻转个数；判断所述第三比特翻转个数是否超过第二预设阈值，若是，则将所述当前页对应的待筛选块标记为坏块，有效防止了遗漏统计比特翻转个数，能够更准确地筛选坏块，避免了坏块遗漏。

技术领域

本发明涉及数据存储领域，尤其涉及一种坏块筛选方法、装置、可读存储介质及电子设备。

背景技术

NAND flash(NAND闪存)颗粒由于各种原因会概率性存在坏块，特别是硬盘厂商为降低成本，拿到的颗粒出现坏块的概率就更大了，因此在使用前需要严格筛选坏块，尽量防止将坏块质量差的颗粒当作正常颗粒使用，从而影响使用体验。

目前检测方法通常是多轮擦除(erase)、编程(program)、读(read)操作，并结合较高温度测试环境，将erase、program操作中出现失败的块，read流程中出现读失败、或者NAND上原始数据(raw data)比特(bit)翻转个数超过bit筛选阈值的块标记为坏块。但是由于颗粒中数据的bit翻转存在概率性，有限几轮的read可能无法将已经超过bit翻转阈值、或者快要超过bit翻转阈值的块挑选出来，并且一般情况下为了缓解相邻存储单元(cell)之间的电压耦合，主控会将数据打散成bit 0、bit1都占比约50％的随机化数据，这样block(块)中会有较多cell是完全未冲入电子的状态，在这种情况下去检测坏块是无法检测到未充电cell的质量的，进而造成坏块遗漏。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供了一种坏块筛选方法、装置、可读存储介质及电子设备，能够更准确地筛选坏块，避免了坏块遗漏。

为了解决上述技术问题，本发明采用的一种技术方案为：

一种坏块筛选方法，包括步骤：

在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定所述待筛选块中当前页的第一比特翻转个数；

判断所述第一比特翻转个数是否超过第一预设阈值，若是，则多次读取所述当前页的原始数据，根据多次读取结果确定所述当前页的第二比特翻转个数；

根据所述当前页的原始数据确定存储单元测试率，并根据所述第二比特翻转个数与所述存储单元测试率确定所述当前页的第三比特翻转个数；

判断所述第三比特翻转个数是否超过第二预设阈值，若是，则将所述当前页对应的待筛选块标记为坏块。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：

一种坏块筛选装置，包括：

第一比特翻转个数确定模块，用于在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定所述待筛选块中当前页的第一比特翻转个数；

第二比特翻转个数确定模块，用于判断所述第一比特翻转个数是否超过第一预设阈值，若是，则多次读取所述当前页的原始数据，根据多次读取结果确定所述当前页的第二比特翻转个数；

第三比特翻转个数确定模块，用于根据所述当前页的原始数据确定存储单元测试率，并根据所述第二比特翻转个数与所述存储单元测试率确定所述当前页的第三比特翻转个数；

坏块筛选模块，用于判断所述第三比特翻转个数是否超过第二预设阈值，若是，则将所述当前页对应的待筛选块标记为坏块。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：