[发明专利]发光基板、发光装置、发光基板的制备方法和装置在审
| 申请号: | 202110255370.X | 申请日: | 2021-03-09 |
| 公开(公告)号: | CN112968051A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
| 发明(设计)人: | 杜小波;李彦松;文官印 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 制备 方法 | ||
1.一种发光基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
像素界定层,设置于所述衬底基板上,所述像素界定层具有多个开口部;
第一电极层,包括多个第一电极,每个第一电极的至少一部分露出于一个开口部,与所述开口部构成容置部;
发光功能层,设置于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧,所述发光功能层包括多个功能子层,所述多个功能子层中的至少一个是第一功能子层,每个第一功能子层包括多个功能图案,每个功能图案位于一个容置部中,与所述容置部的表面共形,且所述功能图案的边沿到所述衬底基板的距离小于或等于所述容置部的边沿到所述衬底基板的距离。
2.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,所述发光功能层中的至少两个功能子层是所述第一功能子层。
3.根据权利要求2所述的发光基板,其特征在于,设置于同一所述容置部的各个所述功能图案中,最远离所述衬底基板的所述功能图案的边沿到所述衬底基板的距离小于最靠近所述衬底基板的所述功能图案的边沿到所述衬底基板的距离;
或者,设置于同一所述容置部的每相邻两个所述功能图案中,远离所述衬底基板的所述功能图案的边沿到所述衬底基板的距离小于靠近所述衬底基板的所述功能图案的边沿到所述衬底基板的距离。
4.根据权利要求2所述的发光基板,其特征在于,多个功能子层包括:
发光层,所述发光层包括多个发光图案,每个发光图案位于一个所述容置部中;
设置于所述发光层靠近所述衬底基板一侧的至少一个所述第一功能子层;
设置于所述发光层远离所述衬底基板一侧的至少一个所述第一功能子层;
其中,同一所述容置部中,设置于所述发光层两侧的所述第一功能子层的所述功能图案将所述发光图案包裹。
5.根据权利要求2所述的发光基板,其特征在于,所述发光功能层中的所有功能子层均是所述第一功能子层。
6.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,所述像素界定层远离所述衬底基板一侧的表面凹凸不平。
7.根据权利要求6所述的发光基板,其特征在于,所述像素界定层远离所述衬底基板一侧的表面具有多个相互平行的条形凹槽。
8.根据权利要求7所述的发光基板,其特征在于,所述条形凹槽的横截面为三角形。
9.根据权利要求6所述的发光基板,其特征在于,所述第一功能子层的功能图案的边沿在所述发光基板的厚度方向上高低不平。
10.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,所述第一功能子层为空穴注入层、空穴传输层、发光前导层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或发光层。
11.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,还包括:
位于所述发光功能层远离衬底基板一侧的第二电极层,所述第二电极层与所述发光功能层和所述像素界定层远离所述衬底基板的表面共形。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的发光基板,所述发光基板为显示面板。
13.一种发光装置,其特征在于,所述发光装置包括权利要求1至11中的任一项所述的发光基板。
14.一种发光基板的制备装置,其特征在于,所述制备装置被配置为制备发光基板中的发光功能层;
所述制备装置包括:至少一个材料去除组件;
每个材料去除组件包括:支撑部,和设置于所述支撑部表面上的材料去除层,所述材料去除层被配置为吸附或粘附所述发光功能层中的至少一种材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





